“Vref DQ Calibration”指的是对内存模块中DQ引脚的参考电压进行校准的过程,以确保数据传输的准确性和可靠性。这个过程通常涉及到调整DQ引脚上的参考电压值,以匹配内存控制器的要求,并优化信号传输的电气特性。 图8:VrefDQ校准(来源:美光数据手册) 在DDR4中,数据线(DQ)的端接方式从CTT(中心抽头端接,也称为SSTL...
在DRAM投入使用之前，必须经过四个关键步骤：上电与初始化、ZQ校准、Vref DQ校准以及读/写训练。完成这些步骤后，系统将进入空闲状态并开始运行。根据设备部署的具体条件，您可能需要决定是否启用定期校准。参考资料：DDR4 SDRAM - 初始化、训练与校准
(1) MR6 [7]设置为1,进入DQ参考电压校准模式,MR6[6]为range,MR6 [5:0]为value,如果MR6 A7=0,MR6 A[6:0]将不会被写入。 (2) 满足tVREFDQE时序后,发送与VrefDQ校准有关的一系列命令,比如ACT, WR, WRA, RD, RDA, PRE, DES, 设置VrefDQ值的MRS命令以及退出VrefDQ校准模式的MRS命令。 (3) 如果...
VrefDQ可以使用模式寄存器MR6来设置,在VrefDQ校准阶段,它需要由内存控制器正确设置。 Read/Write 训练 至此,初始化过程完成,DRAM 处于空闲状态,但内存仍然无法运行。控制器和 PHY 必须执行一些更重要的步骤,然后才能可靠地将数据写入 DRAM 或从 DRAM 中读取。这个重要的阶段被称为读写训练(或内存训练或初始校准),控...
Vref DQ校准 在DDR3中,Vdd/2被用作电压参考来决定[DQ]信号是0还是1。再看看图8的左边,接收器本质上是一个分压器电路。但在DDR4中,接收器上没有分压器电路。相反,它有一个内部电压参考,它用来决定数据线上的信号[DQ]是0还是1。这个参考电压被称为VrefDQ。VrefDQ可以使用模式寄存器MR6来设置,它需要在Vref...
Vref DQ校准。在DDR4中，数据线（DQ）的端接方式变为POD，接收方靠内部的Vref DQ电压基准来判断DQ信号是0还是1。校准开始时，控制器发出Vref DQ校准命令，触发DRAM内部校准引擎，通过尝试不同的Vref DQ值，找到能正确区分高低电平的值，并通过模式寄存器MR6进行设定。读写训练。1. CS训练和CA训练：对片选信号和...
DQ 判决电平校准 Verf DQ Calibraton 图-8 VrefDQ Calibration DDR4 数据线的端接方式(Termination Style)从 CCT(Center Tapped Termination,也称 SSTL,Series-Stud Terminated Logic)更改为 POD(Pseudo Open Drain)。这是为了提高高速下的信号完整性,并节约 IO 功耗。这不是 POD 的首次应用,GDDR5 同样使用 POD...
Reset是DDR3新增的重置功能，通过专用引脚实现内存初始化的简化，节省电力，所有内部组件在Reset期间进入休眠状态，确保系统的高效运行。ZQ校准则利用ZQ引脚上的参考电阻，通过片上校准引擎自动调整数据驱动器和ODT电阻，确保信号传输的精确性。最后，VREF在DDR3中分为VREFCA和VREFDQ，分别服务于命令地址和数据...
每次开机的时候,DRAM Controller都会通过一系列的校准来调整DRMA端输入数据信号的VREFDQ,优化Timing和电压的Margin,也就是说,VREFDQ 不仅仅取决于VDD, 而且和传输线特性,接收端芯片特性都会有关系,所以每次Power Up的时候,VREFDQ的值都可能会有差异。 因为Vref的不同,Vih/Vil都会有差异,可以通过调整ODT来看Vref的区...