ZQ Calibration更侧重于电气特性的校准和补偿,而Vref DQ Calibration则更关注于参考电压的精确性和稳定性。这两种校准过程共同确保了内存模块在数据传输过程中的高可靠性和准确性。 Read/Write Training 在这一点上,初始化过程已完成,DRAM处于空闲状态,但内存仍然不可操作。在数据能够可靠地写入或从DRAM读取之前,控制器...
ZQ Calibration更侧重于电气特性的校准和补偿,而Vref DQ Calibration则更关注于参考电压的精确性和稳定性。这两种校准过程共同确保了内存模块在数据传输过程中的高可靠性和准确性。 Read/Write Training 在这一点上,初始化过程已完成,DRAM处于空闲状态,但内存仍然不可操作。在数据能够可靠地写入或从DRAM读取之前,控制器...
VREF Training(仅DDR4和LPDDR4 为了保证稳定且可靠的内存访问,写入和读取的眼图(eye diagram)应该尽可能宽。眼图的位置取决于LCDL(Load Command Delay Line,负载命令延迟线)以及VREF(参考电压)的值。写入和读取数据眼图训练用于通过改变LCDL的值(结合初始计算和编程的VREF设置)来找出最佳的眼图位置。 VREF训练用于确定一...
VREF Training(仅DDR4和LPDDR4) 为了保证稳定且可靠的内存访问,写入和读取的眼图(eye diagram)应该尽可能宽。眼图的位置取决于LCDL(Load Command Delay Line,负载命令延迟线)以及VREF(参考电压)的值。写入和读取数据眼图训练用于通过改变LCDL的值(结合初始计算和编程的VREF设置)来找出最佳的眼图位置。 VREF训练用于确定...
二维训练模式下优化的参考电压(Vref)电压和地址线(CA)延迟 LPDDR3中引入了地址线训练,DRAM把采样到的地址信号通过数据通路反馈给DDR PHY,DDR PHY可以通过这个反馈去调节地址线的延迟。在LPDDR4中,还加入了地址线参考电压的训练,所以不仅需要调节地址线的延迟,还需要找到一个最优的参考电压值。传统使用硬件训练的方式...
RMT(DDR Rank Margin Tool),其原理是修改设置, 让BIOS在开机时自动运行Training程序, 同时通过Debug Port输出Training的结果, 然后分析输出的打印信息, 从而得到Memory Margin。所得到的结果不仅仅包含VREF Margin, 还包含Write/Read Timing Margin, ADD/CMD Timing Margin…而EVTS是对RMT的一个补充,可以进行per-bit...
在DDR4、LPDDR4或更高速度协议的实现中,引入了2D VREF Training技术,以寻找到数字眼图裕量最大的设定,进一步提升系统性能。同时,针对温度和电压的变化,可以自适应进行Delay line的实时补偿,确保系统的稳定与高效。 得益于在SerDes高速接口领域的深厚积累,牛芯半导体正将SerDes接口中使用的Tx FFE(前向反馈均衡)和Rx...
图-8 VrefDQ Calibration DDR4 数据线的端接方式(Termination Style)从 CCT(Center Tapped Termination,也称 SSTL,Series-Stud Terminated Logic)更改为 POD(Pseudo Open Drain)。这是为了提高高速下的信号完整性,并节约 IO 功耗。这不是 POD 的首次应用,GDDR5 同样使用 POD。
A method is provided for performing memory operations in response to instructions to perform a double data rate (DDR) memory reference voltage training in the voltage domain by a processing device and determining a DDR memory reference voltage and a DDR memory delay time based upon the memory ...
但是在 DDR4 中,接收方不再有分压电路,取而代之的是一个内部参考判决电平,判断信号为 0 或者为 1。这个判决电平称为 VerfDQ。VerfDQ 可以通过模式寄存器MR6 进行设定,在 VrefDQ 阶段,控制器需要通过尝试不同的 VerfDQ 值,来设置一个能够正确区分高低电平的值。