RZQ 是一个 PCB 上阻值固定的分立电阻元件,一般选取 240 欧这个阻值。RZQ 一端连接到 DRAM 的 ZQ pin,另一端接地。RZQ 对电阻是有要求的,首先阻值需要足够高的精度,另外阻值随温度变化的程度尽可能小。 在设计 DRAM 系统时,会根据传输线的情况,计算或者仿真出一组信号完整性最佳的控制器输出输出阻抗与 DRAM ...
由MR1寄存器的A9,A6和A2来设定RTT的大小。标准中提到的RZQ电阻为240欧姆,连接在ZQ管脚和VSSQ之间。例如{A9,A6,A2}=001时,RTT=RZQ/4=60欧姆。参见下图(来自DDR3标准)。 参考电压VDDQ/2,又称为VTT。其中VDDQ是DQ的供电电压。S 在DDR3 标准中定义了两种RTT,即RTT_nom 和RTT_wr,两者分别在MR1和MR2寄存器...
2、DDR结构框图 以Micro的DDR3L芯片MT41K256M16进行结构框图的介绍,该芯片是一款512MB的DDR3L内存芯片,框图如下所示: 对上面给出的框架图各个标号进行简单介绍: (1)控制线 ODT:片上终端使能,ODT使能和禁止片内终端电阻; ZQ:输出驱动较准的外部参考引脚,应外接一个RZQ电阻到VSSQ,一般接到地; RESET:芯片复...
C6678只有VREFSSTL一个,现在AM5K2E中的DDR3控制器跑出三个:DDR3RZQ0、DDR3RZQ1、DDR3RZQ2,AM5K2E的有关手册并未交待清楚,由于我们没多少时间去研究,所以感觉有点乱。虽然66AK2H手册中有这方面的介绍,但我们暂时还不用那个芯片。我们现在只想知道:在使用三星DDR3芯片的情况下,这三个引脚到底应该怎么...
OCD (off-chip driver)是指輸出級的強度,傳統的GPIO的輸出級強度是用電流來表示,但DDR IO是用輸出阻抗來表示(註2)。ODT (On-die termination)是晶片上終端電阻的規格。而RZQ是外接電阻的規格。在DDR裡,會用一個外接精密電阻來校正IO的OCD和ODT值,使其不隨著製程飄移(process variation)而產生較大的差異。
DDR3 终端参考电阻 rzq ,同一个阻值?DDR3器件上 要标配240Ω参考电阻, 通过配置MR1[9,6,2]寄存器产生1/N x240阻值的Rtt,nom电阻,作为ODT功能的上下拉匹配电阻,在读数据时匹配内部阻抗通过配置MR2[10,9]寄存器产生1/N x240阻值的Rtt,(wr)电阻, 作为ODT功能的上下拉匹配电阻,在写数据时匹配内部阻抗而 FPGA...
在设计DRAM系统时,会根据传输线情况计算或仿真出一组信号完整性最佳的控制器输出阻抗与DRAM输入输出阻抗。在DRAM初始化时,通过MRx模式寄存器配置选择的最佳值。DRAM调整内部输入输出阻抗值,通过分压后的电压与RZQ(PCB上固定的分立电阻元件)上的电压进行比较,当二者相等时,DRAM就调节出了RZQ阻值若干份...
在DRAM中,On-Die Termination的等效电阻值通过Mode Register (MR)来设置,ODT的精度通过参考电阻RZQ来控制,DDR4的ODT支持240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 欧姆。 和DDR3不同的是,DDR4的ODT有四种模式:Data termination disable, RTT_NOM, RTT_WR, 和 RTT_PARK。Controller可以通过读写命令以及ODT Pin来控制...
RTT,nom取值是由MR1[9, 6, 2]来决定的。从下图中可以看出RTT,nom可以取2.4.6.8.12,RZQ是240Ω。如果RTT,nom应用在写操作过程中,。 常规的ODT(NOM ODT)可以用在备用(standby conditions)或者写操作中,Rtt_Nom用在写操作中,只能取RZQ/2, RZQ/4, 和 RZQ/6。但是在DDR3的读操作中不是能用终结电阻的。
RTT,nom取值是由MR1[9, 6, 2]来决定的。从下图中可以看出RTT,nom可以取2.4.6.8.12,RZQ是240Ω。如果RTT,nom应用在写操作过程中,。 常规的ODT(NOM ODT)可以用在备用(standby conditions)或者写操作中,Rtt_Nom用在写操作中,只能取RZQ/2, RZQ/4, 和 RZQ/6。但是在DDR3的读操作中不是能用终结电阻的。