写均衡在DQS_t - DQS_c上具有可调节的延迟设置,以便将DQS_t - DQS_c的上升沿与DRAM引脚处时钟的上升沿对齐。DRAM通过DQ总线异步反馈CK_t - CK_c(以DQS_t - DQS_c的上升沿采样),写均衡反复延迟DQS_t - DQS_c,直到检测到从0到1的转换。通过写均衡建立的DQS_t - DQS_c延迟确保了tDQSS规范的实现。
1.通过触发到的波形,利用图形触发(Visual Trigger)选定大体的逻辑区域(in或者out),Kesight示波器是InfiniiScan; 2.通过看读和写的单波形,会发现,读和写DQS的前两个高低电平的宽度是不一样的,使用示波器的宽度(width)触发功能,来触发DQS。 注1:泰克Visual Trigger和是德InfiniiScan都是要单独购买的,这个钱千万不...
3、LDQS_T、LDQS_C 数据选通信号:输入时与写数据同时有效,输出时与读数据同时有效,与读数据时边沿对齐的,但是跳变沿位于写数据的中心。在 x16 系统中,DQSL 对应到 DQL0_7;DQSU 对应到DQU0_7;DQS_t,DQSL_t 与 DQSU_t 分别与 DQS_c, DQSL_c与 DQSU_c,对应为差分信号对。DDR4 SDRAM 仅支持选通...
DQS_t, DQS_c:数据选通信号。DQL0~DQL7为低7位,DQU0~DQU7为高8位。读的时候为输出,写的时候为输入。 TDQS_t, TDQS_c:对寄存器功能选通,只针对X8颗粒使用,X4/X16关闭该功能。 PAR:命令和地址奇偶校验输入,输入奇偶校验应保持在时钟的上升沿,并同时与CS_n LOW的命令和地址保持一致。 ALERT_n:输出信号...
功能与DQS相同,只是当两种不同的DIMM混合应用在同一个系统时,DQS的负载就会不同,这样会造成信号完整性问题,TDQS就是为了解决这个问题的。当TDQS使能时,DM禁止,TDQS和TDDS提供终端电阻。注意:TDQS与DM共用一个物理引脚。 DM 数据屏蔽: DM是写数据的输入屏蔽信号,在写期间,当伴随输入数据的DM信号被采样为高时,输入...
1. 下载vck190 boardfile到本地,找到board.xml,把DQ width增大为72bit,dqs_c/dqs_t/dm的位宽都增大为9bit。修改部分如下。 <port_map logical_port="DQ" physical_port="c0_ddr4_dq" dir="inout" left="71" right="0"> <pin_maps> <pin_map port_index="63" component_pin="c0_ddr4_dq63"/...
在DQS 读写前导位,猝发第一个 bit 等等均有不同的效应和表现。此外考虑到存储电路在设计上不同于串行电路存在较多的阻抗不匹配,因此反射问题或干扰带来的 ISI 也会更严重。 图5 DDR5 在接收端采用更多的类似高速串行总线的信号处理 因此在接收侧速率大于 3600M T/s 时采用类似高速串行电路和标准总线中已经成熟...
tDQSCK:是上升频闪边缘相对于CK_t, CK_c的实际位置 tQSH:描述数据频闪的高脉宽 tQSL:描述数据频闪低脉冲宽度。 tDQSQ:这描述了相关DQ数据引脚的最新有效转换。从下图中,您将看到DQS转换到DQ数据眼左边缘的时间间隔。 tQH:是相关DQ引脚的最早无效转换。从下图中,您将看到DQS从高到DQ数据眼的右边缘的时间。
DQS信号在走线时需要与同组的DQS信号保持等长,控制单端50ohm的阻抗。在写数据时,DQ和DQS的中间对齐,在读数据时,DQ和DQS的边沿对齐。DQ信号多为一驱一,并且DDR2和DDR3有内部的ODT匹配,所以一般在进行串联匹配就可以了。 4. 地址和控制 地址和控制信号速度没有DQ的速度快,以时钟的上升沿为依据采样,所以需要与...
2、Clock to Data Strobe relationship (CK & DQS) tDQSCK(MIN/MAX) 数据有效信号 strobe 上升沿相对于时钟信号 CK_t(上升沿)、CK_c(下降沿) 所允许的延迟范围 tDQSCK 数据有效信号 strobe 上升沿相对于时钟信号 CK_t(上升沿)、CK_c(下降沿) 的实际延迟 ...