写均衡在DQS_t - DQS_c上具有可调节的延迟设置,以便将DQS_t - DQS_c的上升沿与DRAM引脚处时钟的上升沿对齐。DRAM通过DQ总线异步反馈CK_t - CK_c(以DQS_t - DQS_c的上升沿采样),写均衡反复延迟DQS_t - DQS_c,直到检测到从0到1的转换。通过写均衡建立的DQS_t - DQS_c延迟确保了tDQSS规范的实现。
DQS_t, DQS_c:数据选通信号。DQL0~DQL7为低7位,DQU0~DQU7为高8位。读的时候为输出,写的时候为输入。 TDQS_t, TDQS_c:对寄存器功能选通,只针对X8颗粒使用,X4/X16关闭该功能。 PAR:命令和地址奇偶校验输入,输入奇偶校验应保持在时钟的上升沿,并同时与CS_n LOW的命令和地址保持一致。 ALERT_n:输出信号...
3、LDQS_T、LDQS_C 数据选通信号:输入时与写数据同时有效,输出时与读数据同时有效,与读数据时边沿对齐的,但是跳变沿位于写数据的中心。在 x16 系统中,DQSL 对应到 DQL0_7;DQSU 对应到DQU0_7;DQS_t,DQSL_t 与 DQSU_t 分别与 DQS_c, DQSL_c与 DQSU_c,对应为差分信号对。DDR4 SDRAM 仅支持选通...
就是DQS是高电平nDQS就是低电平。DQS是低电平nDQS就是高电平。为啥要这样设计?在写过程的时候,如果DQS在遭受到外部影响导致本来应该是高电平却变为低电平显然这是不允许的,此时可以通过差分信号nDQS的电平比较如果电平相同则不进行数据传输 nCK与CK nCK与CK无疑也是一对差分信号。在上图所示CKext 是内存控制器发...
DQS 是DDR中的重要功能,它的功能主要用来在一个时钟周期内准确的区分出每个传输周期,并便于接收方准确接收数据。每一颗芯片都有一个DQS信号线,它是双向的,在写入时它用来传送由北桥发来的DQS信号,读取时,则由芯片生成DQS向北桥发送。完全可以说,它就是数据的同步信号。
1)CK_t/CK_c:一组差分时钟信号。 2)CKE:时钟使能信号。 4、命令 1)CS_n:片选。 2)ACT_n:激活命令输入。 3)RAS_n/A16、CAS_n/A15、WE_n/A14:命令输入。ACT为低,RAS、CAS和WE作为行地址;ACT为高,RAS、CAS和WE作为命令。 4)PAR:校验位,使能后可以校验命令和地址线数据。
DDR是内存类型,现在的是DDR3,以前的就是DDR2,那个DQS是数据选取脉冲控制。00分享举报您可能感兴趣的内容广告 国内期货交易平台 - 首页_期货交易时间 国内期货交易平台,正规的贵金属投资交易平台,香港金银业贸易场AA类行员,正规牌照,国内期货交易平台,专业提供现货黄金/白银电子交易,正规黄金/白银投资服务网站... ...
DQS信号相当于数据信号的参考时钟,他在走线时需要保持和clk信号保持等长。 DDR3布线的等长要求,归结起来分为两类:数据(DQ,DQS.DQM):组内等长,误差控制在20mil,组间不需要考虑等长;地址,控制,时钟信号:地址,控制信号以时钟做参考,误差控制在100mil,确保DDR颗粒能够获得足够的建立和保持时间。
而与TDiVW相关的tDQS2DQ代表的是一个在写周期内,未做training时DQ RX Mask中心值到DQS过零交叉点得到延时,此时最小建立和保持时间为0.5TDiVW+tDQS2DQ。在做完bit by bit training后,DQ就会将RX mask的中心位置与DQS过零交叉点对齐。此时的最小建立保持时间则完全...
2）对于读操作，DRAM从CK_t/CK_c获取clock信号，用来驱动DQS和DQ端的TX。最简单的设计显然是DQS和DQ...