为了防止这种情况，需要在电压和温度发生急剧变化后重新校正Ron和ODT的阻值。ZQ Calibration需要一个几乎不随电压和温度变化的参考电阻，即RZQ（PCB上的高精度分立电阻），其阻值几乎不受DRAM芯片上温度和电压变化的影响。在新的温度和电压下，重复DRAM初始化时的电阻Calibration流程，DRAM就能将阻值调节回预期...
nom的值由MR1模式寄存器的M9,M6,M2三位决定，若Rtt_nom在写过程使用，只有RZQ/2, RZQ/4, RZQ/6...
：是主存储器的后援存储器，用来存放当前暂时不用的程序和数据，它不能与CPU直接交换信息。两者相比，主存速度快、容量小、每位价格高；辅存速度慢、容量大、每位价格低。缓冲存储器（简称缓存）：用在两个速度不同的部件之中，例如，CPU与主存之间可设置一个快速缓存，起到缓冲作用。其分类如下：二、DDR分类 ...
nom的值由MR1模式寄存器的M9,M6,M2三位决定，若Rtt_nom在写过程使用，只有RZQ/2, RZQ/4, RZQ/6...
缓冲存储器（简称缓存）：用在两个速度不同的部件之中，例如，CPU与主存之间可设置一个快速缓存，起到缓冲作用。其分类如下：二、DDR分类 SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）：为同步动态随机存取内存，是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。其分类如下：DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）：...