理解REF电路得功能是设计其电路的基础。DDR内存的工作原理依赖于严格的电平信号判断内存控制器以及内存模块之间的通信必须基于一个统一的电压标准。REF电压为数据传输提供了一个电压参考点,保证了信号的有效判断以及传输。如果REF电压波动或噪声过多,就会导致读取错误,甚至在高速数据传输中造成更为严重的失效。对于REF电路...
REF 命令发出后,DRAM 内部电路会对所有存储单元进行刷新,这需要一些时间,称为 tRFC, Refresh Cycle Time。在此期间不能向 DRAM 发出任何有效命令。tRFC 与 DRAM 容量密度和工作频率有关。 tREFI 和 tRFC 是 REF 命令唯二的时序参数,可以用以下的时序图表示: 图中,REF 命令与其他有效命令(VALID 表示)的最小间...
REF 不是一个持久性(persistent)命令,需要间隔一个平均周期循环发送,这个周期称为tREFI。tREFI 与 DRAM 容量密度和工作温度有关。 REF 命令发出后,DRAM 内部电路会对所有存储单元进行刷新,这需要一些时间,称为tRFC, Refresh Cycle Time。在此期间不能向 DRAM 发出任何有效命令。tRFC 与 DRAM 容量密度和工作频率有...
直接上拉至主电源即可。 两个16位DDR4颗粒级联时,电源可以复用,具体包括VDD、VDDQ、VPP、REFCA,两个颗粒的ZQ信号需要分别连接240Ω电阻至GND。此处REFCA使用电阻分压方式产生,这种放置最明显的优势是在布局时比较灵活: 所有的数据线均不复用,具体见下: 注意: HP BANK中LVDS的供电要求为1.8V;HR BANK中LVDS的供...
Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC),表示“SDRAM行刷新周期时间”,它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即:REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好,它比tRC的值要稍高一些。 如果使用DFI的主板,通常tRFC的值不能达到9,而10为最佳设置,17-19是内存超频...
从中可以看到,从SENSE端检测到的输出电压VOUT(也就是我们需要的VTT)被拿来与经过缓冲处理的REFIN即REFOUT进行比对,如果发现VOUT高了,输出部分的下面那个MOSFET就会导通将VOUT端的电荷吸走以降低其电压,反之则导通上面那个MOSFET让电流从VIN处流入VOUT使输出电压上升,从而使输出电压VOUT稳定在和REFIN相同的电压上。
看图说话,一般Vref电源表现为如图所示的Vref(t),Vref(DC)就是Vref(t)的平均电压,也就是我们仿真中用到的Vref参考电压,对于这个压值,也有一定要求,就是VDD/2±1%VDD。在此基础之上,还要求Vref(t)偏离Vref(DC)不能超过±1%VDD,所以关于容限的要求,有两个点 :VREF(AC noise)的容限为±2%VDD,VREF(DC )为±...
Refresh=REF,刷新命令,内存为易失性储存器,每隔一段时间就需要对内存里的电容器进行充电,以维持电平信号的电势,这个步骤就叫刷新。 Precharge=PRE,预充电命令,当内存即将要对内存的某行进行读写时,就会对该行的cell单元进行激活和预充电,这个步骤就叫预充电。
再点击Memory Ref Clock,这是内存的时钟,选择100或133MHz,紧接着System Memory Multiplier就会自动计算不同内存时钟下可选的内存频率,选择合适的即可。 内存时钟选项下的是Gear模式,这是从11代酷睿处理器开始引入的,即内存分频机制,由于最新12代酷睿平台既支持DDR5内存又支持DDR4内存,在DDR4上,内存分频机制仍被保留...
PER[15:0]中是一个16 bit的数值,表示控制器发出相邻两个自动刷新命令之间的时间间隔,即刷新周期。刷新计数器向下计数,当计数到0时,刷新请求信号REF_REQ被置为有效并保持直到命令产生模块响应刷新请求为止。之后,刷新计数器重新载入刷新周期PER[15:0],开始新一轮的计数。