在发送 SRX 命令前, 恢复稳定的外部时钟输入,如果自刷新期间时钟关闭的话。 在发送 SRX 后, CKE 信号需要保持为高,直至完全退出自刷新状态。 SRX 命令之后的第一条命令,需按照该命令是否使用 DLL 满足一定时序。 在SRX 命令与下一次 SRE 命令之间必须有至少一条 REF 命令。 DRAM 自刷新相关时序 上图是 Specif...
图中,REF 命令与其他有效命令(VALID 表示)的最小间隔为 tRFC,两个 REF 命令之间的最小间隔也需要大于 tRFC,这段时间用于等待刷新操作完成。 两个REF 命令之间的间隔一般等于 tREFI,但为什么图中标出的最大间隔为 9*tREFI ?这是因为 DDR 支持超前/延后刷新命令这一机制。 超前/延后刷新命令 一般而言,REF 命令...
这是因为 DDR 支持超前/延后刷新命令这一机制。 超前/延后刷新命令 一般而言,REF 命令两两之间保持着相同的车距,等周期间隔 tREFI。但是正如前文所提到的,在大吞吐量的场景中,频繁的刷新命令会降低吞吐效率。 超前/延后刷新命令机制可以在不改变刷新命令总数的情况下,拉开 REF 命令之间的间距,从而提高密集 DRAM 读...
其中有几个命令是内存时序会用到的基础命令。 Refresh=REF,刷新命令,内存为易失性储存器,每隔一段时间就需要对内存里的电容器进行充电,以维持电平信号的电势,这个步骤就叫刷新。 Precharge=PRE,预充电命令,当内存即将要对内存的某行进行读写时,就会对该行的cell单元进行激活和预充电,这个步骤就叫预充电。 Activate...
DDR2操作时序规范(三星)
DDR4参数值详解 在DDR4的MIG中，我们遇到了多个参数值，其中tCK=833表示内存时钟周期为833皮秒，即内存时钟频率为1/tCK=196MHz，约等于1200MHz。值得注意的是，DDR4中的许多其他参数都是基于tCK来描述的。tRFC，即REF命令到ACT或REF命令的时间，其值为421乘以833皮秒，等于350纳秒。在手册参数中，我们可以看到8Gb...
命令模式 DES & NOP ZQCL & ZQCS ACT PRE & PREA RD WR REF SRE & SRX write leveling 系统状态机 DDR3基础简介 DDR3 SDRAM(double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM)即第三代双倍数据速率同步动态随机存储器。 同步:指DDR3数据的读取写入是按时钟同步的 ...
JEDEC组织发布的DDR4内存白皮书里的Command Table,详细记载了DDR4内存会用到的命令以及各引脚的电平信号、地址信息。其中有几个命令是内存时序会用到的基础命令。 Refresh=REF,刷新命令,内存为易失性储存器,每隔一段时间就需要对内存里的电容器进行充电,以维持电平信号的电势,这个步骤就叫刷新。
DDR2-SDRAM操作时序规范