CAS Write Latency (WL)时序参数为偶数 CS to Command/Address Latency Mode:偶数个时钟周期 CA Parity Latency Mode:偶数个时钟周期 下图是 Gear-down 模式打开或者关闭时的时序图比较,可以看到 Gear-down 模式打开后,命令之间的间隔将增加 1 个cycle,这是因为 AL 需要...
MR0中的CAS Latency配置表 MR5 DDR4通过MR5中对Parity Latency (PL)的配置来控制奇偶校验是否启用及其延迟时间。当A<2:0>=000时不对命令或地址(Command/Address, C/A)进行奇偶校验,因此也可以理解为PL=0。当A<2:0>≠000时将对C/A进行奇偶校验并根据A<2:0>的取值设定对应的延迟时间。 命令/地址奇偶校验...
Write Recovery 和 Read to Precharge 时序参数为偶数 Additive Latency (AL)时序参数为 0 或者 CL - 2 CAS Write Latency (WL)时序参数为偶数 CS to Command/Address Latency Mode: 偶数个时钟周期 CA Parity Latency Mode:偶数个时钟周期 下图是 Gear-down 模式打开或者关闭时的时序图比较,可以看到 Gear-down...
DDR4 vs. DDR3的标准化能量消耗 除了上述的三个主要部份外,DDR4还支持命令/地址总线上的同位核对(parity check),以及在数据写入时,数据总线上支持循环冗余检验(CRC)等功能,以自动侦错的方式来避免因讯号干扰而导致不正确的命令或数据被写入内存,增加高速传输时数据的完整性。 DDR4应用限制 世上没有白吃的午餐。
首先,跟 DDR3 相比,DDR4 读写指令需要更长的启动时间周期(Read Latency 或 Write Latency,也就是读写指令下达后,需花费多少时间周期,资料才会出现在介面上)。因此在相同频率下,DDR4 的读写效率会比 DDR3 低。这其实是可以理解的。随着半导体制程技术的提升,记忆体对外的介面逻辑电路的速度也越变越快,但记忆体...
首先,跟DDR3相比,DDR4读写指令需要更长的启动时间周期(Read Latency或Write Latency,也就是读写指令下达后需花费多少时间周期数据才会出现在接口上),因此在相同频率下,DDR4的读写效率会比DDR3低。 这其实是可以理解的。随着半导体制程技术的提升,内存对外的接口逻辑电路的速度也越变越快,但内存内部的反应速度却没...
首先,跟 DDR3 相比,DDR4 读写指令需要更长的启动时间周期(ReadLatency 或 Write Latency,也就是读写指令下达后,需花费多少时间周期,资料才会出现在界面上)。因此在相同频率下,DDR4 的读写效率会比 DDR3 低。这其实是可以理解的。随着半导体制程技术的提升,内存对外的界面逻辑电路的速度也越变越快,但内存内部的...
DDR4通过MR5中Parity Latency (PL)的配置来控制奇偶校验是否启用及其延迟时间。A<2:0>=000时不对命令或地址进行奇偶校验。当A<2:0>≠000时，对C/A进行奇偶校验，并根据A<2:0>的取值设定延迟时间。DDR4支持奇偶校验和循环冗余校验。奇偶校验包括奇校验和偶校验。对于奇校验，数据码和校验码中数据...
EMRS(1)(ExtendedModeRegisterSet))扩展模式寄存器设定DLL,Additive Latency,RTT,Output Driver Impedance Control,ODT(On Die Termination) and OCD(Off Chip Driver ImpedanceAdjustment)输出驱动能力设置,DQSand Output buffers disable。 EMRS(2)controls self-refresh related features。
首先,跟DDR3相比,DDR4讀寫指令需要更長的啟動時間週期(Read Latency或Write Latency,也就是讀寫指令下達後,需花費多少時間周期,資料才會出現在介面上)。因此在相同頻率下,DDR4的讀寫效率會比DDR3低。這其實是可以理解的。隨著半導體製程技術的提升,記憶體對外的介面邏輯電路的速度也越變越快,但記憶體內部的反應...