在DDR2段交错操作(bank-interleaving operation)时使用4bit突发模式来提高总线利用率。 其它改进的地方,DDR2引入了一个被称为Additive Latency(附加延迟)的技术,理解这项技术我们需要知道真实的内存操作环境,数据并不是随时就能传输,甚至是在数据准备好的情况下也不可以,因为它 还要受到内存控制器状态的限制。因此有时...
接下来，相关的列地址被选中以后，将会触发数据传输，但从存储单元中输出到真正出现在内存芯片的I/O接口之间还需要一定的时间(数据触发本身就有延时，而且还需要进行信号放大)，这段时间就是列地址脉冲选通潜伏期(CAS Latency,CL)，CL的数值与tRCD一样，以时钟周期数表示。比如DDR3-800的有效频率(传输数据频率)为...
Memory on-die termination (ODT) setting:设置存储器 ODT 的值。 Memory CAS latency setting:设置从读命令到从存储器中输出第 1 个数据之间的延时时钟周期数。 Memory Additive CAS latency setting:附加 CAS 延迟设置。 ③ Memory Timing Parameters Memory initialization time at power- -up (tINIT):最小存储...
接下来,相关的列地址被选中以后,将会触发数据传输,但从存储单元中输出到真正出现在内存芯片的I/O接口之间还需要一定的时间(数据触发本身就有延时,而且还需要进行信号放大),这段时间就是列地址脉冲选通潜伏期(CAS Latency,CL),CL的数值与tRCD一样,以时钟周期数表示。比如DDR3-800的有效频率(传输数据频率)为800MHz...
Memory Additive CAS latency setting:是DDR2 SDRAM的有一个与CL有关的值,简称AL,这里禁用了。 Memory vendor:DDR2 SDRAM的生产厂商,这里为Micron。 Memory format:这里选择离散原件,还有一种是DIMM。 Maximum memory frequency: DDR2 SDRAM的最大速率,这里只的是时钟的频率,查阅器件手册,数据速率为533MHZ,那么时钟...
on-die termination、prefetch buffers得到提升。然而，作为一种trade-off，latency会大大增加。DDR SDRAM ...
Memory additive CAS latency setting:选择默认设置0。 ODT setting:终结电阻值设置。 SRT Enable刷:新速率设置。0°到85°时选择1x refresh rate,大于85°选2X;此处选择1X。 5 该部分主要是设置memory的一些时序参数,具体参数值可以查询memory对应的datasheet。或者从下图的Preset里选择对应你使用的memory器件型号,...
下一个 DDR2 内存中的分歧就是可变读延迟 ( Variable Write Latency )的能力。 DDR 允 许一个1T (一个时钟周期)的写延迟,而且这个时间规格是不能被改变的。到了DDR2,写延迟依赖于读延迟, 而且等于读延迟减一个时钟周期, 举例来说, 当读延迟是 7 个时钟周 期,写延迟就是 6 个时钟周期。这看上去 30...
SDRAM是“Synchronous Dynamic random access memory”的缩写，意思是“同步动态随机存储器”，就是我们平时所说的“同步内存”，这种内存采用168线结构 DDR DDR是一种新诞生的内存技术，DDR，英文原意为“DoubleDataRate”，顾名思义，就是双数据传输模式。之所以称其为“双”，也就意味着有“单”，我们...
原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。 采用双通道运行,速度是DDR的2倍。 总的来说,DDR2采用了诸多的新技术,改善了DDR的诸多不足,虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不...