在一般情况下如果DRAM Drive strength设的愈高,进操作系统会愈稳定,但设的低的话跑MEMTEST会更稳过,所以有些人会在跑MEMTEST86+时DRAM Drive strength设5或更低,以便很顺利完成MEMTEST86测试,但是以这样的设定别想顺利进入OS桌面或完成PI测试。 Bypass Max调节,保持7X为宜 接着请看MAX Async Latency与Read Pre...
CAS延迟(CL,Column Address Strobe Latency)是内存时序的第一个参数,表示从发出读取命令到数据实际可用的时间(以时钟周期为单位)。它是衡量内存性能的重要指标之一。 CAS写入延迟(CWL,Column Address Strobe Write Latency)是DRAM在写入数据时,从列地址被激活到数据开始被写入DRAM的延迟时间。 tRCD(Row Address to Col...
Strength Max Async Latency 可选的设置:Auto,0-15,步进值为1。 Strength Max Async Latency目前还没能找到任何关于此项参数的说明,不知道其功能。感觉网友的经验,在进行Everest的LatencyTest时,可以看出一些差别。在我的BH-6上,参数从8ns到7ns在Latency Test的测试结果中有1ns的区别。从7ns调低6ns后,测试结果...
在一般情况下如果DRAM Drive strength设的愈高,进操作系统会愈稳定,但设的低的话跑MEMTEST会更稳过,所以有些人会在跑MEMTEST86+时DRAM Drive strength设5或更低,以便很顺利完成MEMTEST86测试,但是以这样的设定别想顺利进入OS桌面或完成PI测试。 Bypass Max调节,保持7X为宜 接着请看MAX Async Latency与Read Pre...
1、Read Timing CL (CAS latency) Column-Address-Strobe 当列地址在地址信号上就绪时,CL 是内部读命令与读数据第一个比特之间的延迟时钟周期。 CL 大小定义在模式寄存器 MR0 中。SDRAM 标准定义了不同频率下需要设定的 CL 值大小。 AL (Additive Latency) ...
CAS写入延迟(CWL,Column Address Strobe Write Latency)是DRAM在写入数据时,从列地址被激活到数据开始被写入DRAM的延迟时间。 tRCD(Row Address to Column Address Delay):行地址到列地址的延迟时间,即从发出行地址命令到可以发出列地址命令的时间间隔。
CAS Latency Control(tCL) 可选的设置:Auto,1,1.5,2,2.5,3,3.5,4,4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时,如“3-4-4-8”这一类的数字序列,上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数,即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Dela...
接下来是Max Async Latency,这又是一个重要的参数,对稳定性跟性能影响比较大,放宽这个参数会比较稳定,但影响性能,一般保守用8,不稳定的话用9,最紧是7。Read Preamble Time也是个非常重要的参数,保守设5.5,最小是4(比较难跑),放宽这个参数会得到立杆见影的效果,不过性能下降也是相当可怕的。另外,不要盲目的把...
19、是 Max Async Latency,这又是一个重要的参数,对稳定性跟性能影响比较大,放宽这个参数会比较稳定,但影响性能,一般保守用8,不稳定的话用9,最紧是7。Read Preamble Time也是个非常重要的参数,保守设 5.5,最小是4 (比较难跑),放宽这个参数会得到立杆见影的效果,不过性能下降也是相当可怕的。另外,不要盲目的...
Additive Latency:称为AL。在RAS命令之后立即运行CAS命令,并且在设备上运行CAS命令之前,该命令为AL。延迟参数越小,内存运行的速度越快,但如果内存无法运行低延迟,则可能会丢失数据rl:read latency wl : write latency . rl=al cl . wl=rl-1,burst length :突发长度。简单地说,BL、Burst模式是连续数据传输方式...