Write-WR-写入命令 DRAM CAS Write Latency(tWCL) tWCL是列地址写入延迟时间,它的定义与CL基本相同,都需要tRCD在前先激活行地址,然后在列地址输入或输出数据。CL与tWCL的区别是前者是在Read读取命令下运行,后者是在Write写入命令下运行。 tWCL在英特尔平台通常不可设定,与CL值直接同步,在锐龙平台,可以设定,但也...
1、CL(CAS Latency) 2、AL(CAS Additive Latency) 3、tRCD(RAS-to-CAS Delay) 4、tRP(RAS Precharge Time) 5、tCWL(CAS Write Latency) 维度2 小结 动态存储是必不可少的一个高速并行信号模块。而DDR就是其中的佼佼者。我们常说的DDR全称应该是DDR SDRAM(双倍速率同步动态随机存储器Double Date Rate Syn...
CAS Write Latency (WL)时序参数为偶数 CS to Command/Address Latency Mode:偶数个时钟周期 CA Parity Latency Mode:偶数个时钟周期 下图是 Gear-down 模式打开或者关闭时的时序图比较,可以看到 Gear-down 模式打开后,命令之间的间隔将增加 1 个cycle,这是因为 AL 需要...
CAS延迟(CL,Column Address Strobe Latency)是内存时序的第一个参数,表示从发出读取命令到数据实际可用的时间(以时钟周期为单位)。它是衡量内存性能的重要指标之一。 CAS写入延迟(CWL,Column Address Strobe Write Latency)是DRAM在写入数据时,从列地址被激活到数据开始被写入DRAM的延迟时间。 tRCD(Row Address to Col...
CAS Latency为读取潜伏,为内部读命令和第一个bit有效数据输出之间的时钟周期; Additive Latency为附加潜伏期,它的作用为使命令和数据总线更有效,即允许读或者写命令紧跟有效命令; CAS Write Latency(CWL)列写潜伏期,被定义为内部写命令和第一个bit有效数据输入之间的时钟周期延时;DDR3 SDRAM 不支持半周期潜伏,总的...
Cas latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”; 此处的 Cas latency 和 Cas Write latency 为 DDR 内部数据的延迟时间,设定成多少都可以,都不妨碍正常数据的存储和传输。 Controller Options – 控制操作 Configuration : 选择默认的配置 components; (其中components指的是DDR的型号是元器件,而不是类似于...
Write-WR-写入命令 DRAM CAS Write Latency(tWCL) tWCL是列地址写入延迟时间,它的定义与CL基本相同,都需要tRCD在前先激活行地址,然后在列地址输入或输出数据。CL与tWCL的区别是前者是在Read读取命令下运行,后者是在Write写入命令下运行。 tWCL在英特尔平台通常不可设定,与CL值直接同步,在锐龙平台,可以设定,但也...
5、tCWL(CAS Write Latency) 通过MR2寄存器配置。指CAS写命令信号激活后到第一位数据输入的潜伏周期。与CL类似。写潜伏WL=AL+CWL。 维度2 接下来是决定动态稳定性的时序,这个阶段是各寄存器开始完成寻址采样及读写锁存采样的时序,可以视作周期内的时序,这也是我们在...
tCL:全称CAS Latency,当列地址被打开后,数据并不是立即出现在最终的数据总线引脚上,而是有若干个时钟的延迟,指的是列选通潜伏周期。(查了好多资料还是觉得这句话这句话说的最好理解!) 在查阅时序参数时,经常看到“3-4-4-8”类型的数字序列,该序列对应的参数分别是: ...
Write-WR-写入命令 DRAM CAS Write Latency(tWCL) tWCL是列地址写入延迟时间,它的定义与CL基本相同,都需要tRCD在前先激活行地址,然后在列地址输入或输出数据。CL与tWCL的区别是前者是在Read读取命令下运行,后者是在Write写入命令下运行。 tWCL在英特尔平台通常不可设定,与CL值直接同步,在锐龙平台,可以设定,但也...