产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 21 A Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: +...
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition •Low Threshold: 2 V (typ.)•Low Input Capacitance: 25 pF •Fast Switching Speed: 25 ns •Low Input and Output Leakage •TrenchFET ® Power MOSFET •1200V ESD Protection •Compliant...
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET Si7456DP Vishay Siliconix PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) 0.025 at VGS = 10 V 100 0.028 at VGS = 6.0 V ID (A) 9.3 8.8 PowerPAK SO-8 6.15 mm D 8D 7 D 6 D 5 S 1S 5.15 mm 2 S 3G 4 Bottom View Ordering Information: Si7456DP-T1-E3...
D16NF06L-VB 是由 VBsemi 生产的 N-Channel 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装。它具有正压 60V、电流 45A 和 RDS(ON) 为 24mΩ@VGS=10V 的特性。丝印为 VBE1638,具有 VGS=20V 和阈值电压 Vth=1.8V。 二、详细参数说明: - 型号: D16NF06L-VB ...
ME2320D-VB是一种适用于中等电压和电流应用的N-Channel MOSFET。其低导通电阻和高电流特性使其在多种电子设备中得到广泛应用。 **主要特点:** 1. **低导通电阻:** RDS(ON)仅为30mΩ,有效降低导通时的功耗。 2. **中等电压范围:** 30V的电压规格使其适用于中等电压电路。
www.vishay.com SiSS50DN Vishay Siliconix N-Channel 45 V (D-S) MOSFET PowerPAK® 1212-8S D D D 6 7 5 D 8 3.3 mm 1 Top View 3.3 mm PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) max. () at VGS = 10 V RDS(on) max. () at VGS = 4.5 V Qg typ. (nC) ID (A) Configuration...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 380 mA Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V Qg-栅极电荷: 300...
D442-VB是VBsemi生产的N沟道场效应管,封装为TO252。具有60V的工作电压、45A的最大电流承受能力以及低导通电阻(24mΩ@VGS=10V),是一款性能稳定、适用性广泛的N沟道场效应管。 ### 详细参数说明: - 工作电压:60V - 最大电流:45A - 导通电阻:24mΩ@VGS=10V ...
维沙伊·西林赛克 N-Channel 100V (D-S) MOSFET 说明书 SIDR170DP-T1-RE3
MOSFET – Power,N-Channel, Logic Level, SOT-223 3.0 A, 60 V Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. Features •NVF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control ...