实际过程中,由于Coss影响,大部分电流从MOSFET中流过,流过Coss的非常小,甚至可以忽略不计,因此Coss的充电速度非常慢,电流VDS上升的速率也非常慢。也可以这样理解:正是因为Coss的存在,在关断的过程中,由于电容电压不能突变,因此VDS的电压一直维持在较低的电压,可以认为是ZVS,即0电压关断,功率损耗很小。 同样的,在开...
Coss影响,小部份电流流过Coss,大部分流过MOS场效应管,Coss充电速度慢,VDS电流上升速率慢; 有Coss,关断时,因电容电压不能变,VDS电压维持低电压,即ZVS,0电压关断,功率损耗小; 开通中,因Coss,电容电压不能变,VDS维持高电压,功率损耗大; 理想状态 工程简化式,关断与开通损耗相同, 实际状态 关断损耗<开通损耗 Coss...