2、电容(Ciss,Coss, Crss) Ciss,Coss,和Crss,跟栅极电荷一样影响着开关性能。MOSFET作动的过程,就是栅极电压对源极、漏极电容充放电的过程。 Cgs:栅极和源极之间的等效电容。实际上控制电压输出后,就开始给电容Cgs开始充电,GS电容充电过程分三个阶段: ①上电瞬间电容等效成短路,GS电容的内阻为O,几乎所有的电流...
输入电容(lnput Capacitance):Ciss=Cgd十Cgs 输出电容(Output Capacitance):CDSS=Cgd+Cds 逆导电容( Reverse Transfer Capacitance):Crss=Cgd 之所以引入分布电容的概念,是因为结电容是由晶体管的材料和结构决定的,不能全面反映对晶体管电路的实际影响。分布电容则主要反映结电容对下作电路的影响。 无论是CiSS、Coss、...
1、Ciss输入电容 将漏源短接,用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成,或者Ciss = Cgs +Cgd。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启,放电致一定值时器件才可以关断。因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。 2、Coss:输出电容 将栅源...
MOSFET的电气特性(动态特性Ciss/Crss/Coss) 电容(Ciss/Crss/Coss) 在MOSFET中,栅极由一层薄的氧化硅实现绝缘。因此,功率MOSFET在栅极-漏极、栅极-源极和漏极-源极之间具有电容,具体如下图所示. Ciss为输入电容,Crss为反馈电容,Coss为输出电容。电容会影响MOSFET的开关性能。
百度试题 题目根据下图,写出输入电容Ciss,输出电容Coss,反向传输地内容Crss的等效值:Ciss=___;Coss=___;Crss=___;DrainCJGateoRgC心电SourceMOS的简单等效电路 相关知识点: 试题来源: 解析 Cgd+Cgs Cds+Cgd Cgd 反馈 收藏
MOSFET的电气特性(动态特性Ciss/Crss/Coss) 电容(Ciss/Crss/Coss) 在MOSFET中,栅极由一层薄的氧化硅实现绝缘。因此,功率MOSFET在栅极-漏极、栅极-源极和漏极-源极之间具有电容,具体如下图所示. Ciss为输入电容,Crss为反馈电容,Coss为输出电容。电容会影响MOSFET的开关性能。
Ciss、Crss和Coss的电容特性是影响MOSFET开关特性的重要因素。 Ciss:输入电容(Ciss=Cgd+Cgs) ⇒栅极-漏极和栅极-源极电容之和:它影响延迟时间;Ciss越大,延迟时间越长。 Crss:反向转移电容(Crss=Cgd) ⇒栅极-漏极电容:Crss越大,漏极电流上升特性越差,这不利于MOSFET的损耗。高速驱动需要低电容。
不是随便取的吧？
不是随便取的吧？
可测参数 Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管结电容测试 可测器件 IGBT,二极管,氮化镓、碳化硅 MOSFET 等 测试频率 1MHz 测试电压范围 Vds 0~1200V,Vgs ±25V 信号电压范围 1mV~1000mV Rg 范围 ≤300Ω 测试精度 0.01pf 可售卖地 全国 型号 HUSTEC-CV-1200 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体...