Ciss:是栅极到源极(Cgs)和栅极到漏极(Cgd)电容的总和。它影响MOSFET的开启速度,因为在开关过程中需要为这些电容充电。Coss:是漏极到源极(Cds)和栅极到漏极(Cgd)电容的总和。它影响MOSFET的关闭速度,因为在关闭过程中需要为这些电容放电。Crss:是栅极到漏极(Cgd)电容。它在高频应用中尤其重要,因为它影响MOSFET的...
Ciss,Coss,和Crss,跟栅极电荷一样影响着开关性能。MOSFET作动的过程,就是栅极电压对源极、漏极电容充放电的过程。 Cgs:栅极和源极之间的等效电容。实际上控制电压输出后,就开始给电容Cgs开始充电,GS电容充电过程分三个阶段: ①上电瞬间电容等效成短路,GS电容的内阻为O,几乎所有的电流,都从电容上走; ②GS电容没...
Crss和Coss(漏极D和源极的电容与Crss之和)还具有非线性特性,这会影响功率MOSFET的开关性能,如开关过程中的栅极震荡,功率MOSFET并联工作的栅极震荡,还会影响开关损耗以及桥式电路上下管死区时间计算的精度。 三、优化设计以实现更高效的电源和更低的能耗 在设计和使用功率器件时,需要充分考虑这些动态参数的影响,以实现...
MOSFET的电气特性(动态特性Ciss/Crss/Coss) 电容(Ciss/Crss/Coss) 在MOSFET中,栅极由一层薄的氧化硅实现绝缘。因此,功率MOSFET在栅极-漏极、栅极-源极和漏极-源极之间具有电容,具体如下图所示. Ciss为输入电容,Crss为反馈电容,Coss为输出电容。电容会影响MOSFET的开关性能。
MOSFET的电气特性(动态特性Ciss/Crss/Coss) 电容(Ciss/Crss/Coss) 在MOSFET中,栅极由一层薄的氧化硅实现绝缘。因此,功率MOSFET在栅极-漏极、栅极-源极和漏极-源极之间具有电容,具体如下图所示. Ciss为输入电容,Crss为反馈电容,Coss为输出电容。电容会影响MOSFET的开关性能。
逆导电容( Reverse Transfer Capacitance):Crss=Cgd 之所以引入分布电容的概念,是因为结电容是由晶体管的材料和结构决定的,不能全面反映对晶体管电路的实际影响。分布电容则主要反映结电容对下作电路的影响。 无论是CiSS、Coss、Crss中的哪一个,我们都希望他们尽量小一些。 Ciss会增加驱动功率,高频应用时,栅极驱动信号...
逆导电容( ReverseTransferCapacitance):Crss=Cgd 之所以引入分布电容的概念,是因为结电容是由晶体管的材料和结构决定的,不能全面反映对晶体管电路的实际影响。分布电容则主要反映结电容对下作电路的影响。 无论是CiSS、Coss、Crss中的哪一个,我们都希望他们尽量小一些。
2、Coss:输出电容 将栅源短接,用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容。Coss是由漏源电容Cds和栅漏电容Cgd并联而成,或者Coss = Cds +Cgd对于软开关的应用,Coss非常重要,因为它可能引起电路的谐振。 3、Crss:反向传输电容 在源极接地的情况下,测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容。反向传输电...
MOSFET的电气特性(动态特性Ciss/Crss/Coss) 电容(Ciss/Crss/Coss) 在MOSFET中,栅极由一层薄的氧化硅实现绝缘。因此,功率MOSFET在栅极-漏极、栅极-源极和漏极-源极之间具有电容,具体如下图所示. Ciss为输入电容,Crss为反馈电容,Coss为输出电容。电容会影响MOSFET的开关性能。
不是随便取的吧？