MOSFET的三个主要电容参数是输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)和反向传输电容(Crss),这些参数决定了器件在开关过程中的速度和效率。由于MOSFET的结构,会产生寄生电容(CGS、CGD、CDS)。这些寄生电容会影响开关特性。在MOSFET中,栅极由一层薄的氧化硅实现绝缘。因此,功率MOSFET在栅极-漏极、栅极-源极和漏极-源极之间具...
Ciss,Coss,和Crss,跟栅极电荷一样影响着开关性能。MOSFET作动的过程,就是栅极电压对源极、漏极电容充放电的过程。 Cgs:栅极和源极之间的等效电容。实际上控制电压输出后,就开始给电容Cgs开始充电,GS电容充电过程分三个阶段: ①上电瞬间电容等效成短路,GS电容的内阻为O,几乎所有的电流,都从电容上走; ②GS电容没...
结电容Cgd、Cgs、Cds与分布参数Ciss、Crss、Coss “结电容”（图3. 12）的定义适⽤于所有的FET，并不局限于VMOS，也适⽤于所有的VMOS晶 体管，只是测定⽅法与标识⽅法有差异。⽽且图3. 12中的表⽰⽅法也是近似的，实际上结电容 还包括引线电极与管芯之间的电容、管芯各组成部分之间、管芯与...
2、Coss:输出电容 3、Crss:米勒电容(反向传输电容) 4、Qg总栅极充电电荷与Qgs栅源充电电荷 5、td(on):导通延时时间 6、td(off):关断延时时间 三、最大额定值 1、VDSS 最大漏-源电压 2、VGS 最大栅源电压 3、ID 连续漏电流 4、IDM - 脉冲漏极电流 ...
Ciss、Crss和Coss的电容特性是影响MOSFET开关特性的重要因素。 Ciss:输入电容(Ciss=Cgd+Cgs) ⇒栅极-漏极和栅极-源极电容之和:它影响延迟时间;Ciss越大,延迟时间越长。 Crss:反向转移电容(Crss=Cgd) ⇒栅极-漏极电容:Crss越大,漏极电流上升特性越差,这不利于MOSFET的损耗。高速驱动需要低电容。
MOSFET的电气特性(动态特性Ciss/Crss/Coss) 电容(Ciss/Crss/Coss) 在MOSFET中,栅极由一层薄的氧化硅实现绝缘。因此,功率MOSFET在栅极-漏极、栅极-源极和漏极-源极之间具有电容,具体如下图所示. Ciss为输入电容,Crss为反馈电容,Coss为输出电容。电容会影响MOSFET的开关性能。
结电容Cgd、Cgs、Cds与分布参数Ciss、Crss、Coss, “结电容”(图3. 12)的定义适用于所有的FET,并不局限于VMOS,也适用于所有的VMOS晶体管,只是测定方法与标识方法有差异。而且图3. 12中的表示方法也是近似的,实际上结电容还包括引线电极与管芯之间的电容、管芯各组成部分之间、管芯与封装之间的分布电容...
MOSFET的电气特性(动态特性Ciss/Crss/Coss) 电容(Ciss/Crss/Coss) 在MOSFET中,栅极由一层薄的氧化硅实现绝缘。因此,功率MOSFET在栅极-漏极、栅极-源极和漏极-源极之间具有电容,具体如下图所示. Ciss为输入电容,Crss为反馈电容,Coss为输出电容。电容会影响MOSFET的开关性能。
结电容Cgd Cgs Cds与分布参数Ciss Crss Coss-KIA MOS管 结电容”的定义适用于所有的FET,并不局限于VMOS,也适用于所有的VMOS晶体管,只是测定方法与标识方法有差异。实际上结电容还包括引线电极与管芯之间的电容、管芯各组成部分之间、管芯与封装之间的分布电容。
不是随便取的吧？