CMP过程中材料层的改变会引起电学特性的变化,如电阻、电容或电流的变化,从而实现CMP的终点检测。 电容检测:这种技术是通过监测硅片的电容变化来确定CMP的终点。硅片的电容会随着研磨过程中材料的改变而改变。例如,当硅片上的介电层被完全研磨掉时,硅片的电容值会突然增大,通过监测这种电容变化,就可以确定CMP的终点。
然而当接近研磨终点 EPD,wafer 上研磨的材料变化会导致磨擦力的变化,这时机台所供给的电流也会变化; 以这个电流值变化当作CMP研磨终点检测EPD抓取的方法就称为 motor current。 光学检测 由于wafer上的不同物质反射率不同,例如钨(Tunqsten)制程,接近研磨终点时wafer表面材料会从Tungsten转变成Oxide; 而金属Tungsten拥...
CMP终点检测通常依赖于光学或电气测量,常见的检测技术有两种:1,光学终点检测该技术使用光源照射硅片,并检测反射的光。由于不同材料的反射特性不同,因此当研磨暴露出新的材料层时,反射的光的特性将会改变。这种变化可以被检测到,从而确定CMP的终点。 打开网易新闻 查看精彩图片 一般的光学终点检测方法有:反射光强度监测...
百度试题 题目CMP 工艺中,常用的终点检测方法有 相关知识点: 试题来源: 解析 光学干涉终点检测红外终点检测电动机电流终点检测 反馈 收藏
CMP综合终点检测研究-论文 O显徽、测量、徽细加工技术与设备Microscope,Measurement,Microfabricati6n&EquipmentCMP综合终点检测研究周国安,刘多勤,涂佃柳,.詹阳(中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京101601)摘要:在对电机电流终点检测、光学终点检测以及抛光垫温度检测三种终点检测技术的检测原理、特点及其装置分析讨论的...
单项选择题 CMP终点检测有哪些方法? A、电动机电流CMP 终点检测 B、光学干涉法终点检测 C、红外终点检测 D、以上都是 点击查看答案 你可能感兴趣的试题 问答题 运用比赛法时的注意事项有哪些? 点击查看答案 单项选择题电路如图所示,对节电1、2形成的超节点列方程为( )。 A. B. C. D. 点击查看答案 ...
抛光终点检测过程中,电动机电流CMP终点检测不适合进行层间介质检测。 A. 正确 B. 错误 相关知识点: 试题来源: 解析 A 正确答案:A 答案解析:电流CMP不适合进行层间介质CMP检测,这是因为要保留预定的氧化层厚度,没有能弓|起电流变化的材料露出来。
CMP光学终点检测系统是由北京特思迪半导体设备有限公司著作的软件著作,该软件著作登记号为:2024SR0527705,属于分类,想要查询更多关于CMP光学终点检测系统著作的著作权信息就到天眼查官网!
一种CMP电涡流终点检测装置专利信息由爱企查专利频道提供,一种CMP电涡流终点检测装置说明:本发明提供的CMP电涡流终点检测装置,包括:谐振电路、采样电路及电涡流检测通信控制器,其中,谐...专利查询请上爱企查
(54)发明名称CMP终点检测方法与相变存储器底部接触结构形成方法(57)摘要本发明提供一种相变存储器底部接触结构的形成方法,包括:提供表面形成有至少两个导电插塞结构的晶片;在该晶片的表面依次淀积刻蚀终止层、第一介电层、第二金属层;光刻、刻蚀第二金属层、第一介电层与刻蚀终止层形成开口,该开口的两个相对的侧...