CMP过程中材料层的改变会引起电学特性的变化,如电阻、电容或电流的变化,从而实现CMP的终点检测。 电容检测:这种技术是通过监测硅片的电容变化来确定CMP的终点。硅片的电容会随着研磨过程中材料的改变而改变。例如,当硅片上的介电层被完全研磨掉时,硅片的电容值会突然增大,通过监测这种电容变化,就可以确定CMP的终点。
然而当接近研磨终点 EPD,wafer 上研磨的材料变化会导致磨擦力的变化,这时机台所供给的电流也会变化; 以这个电流值变化当作CMP研磨终点检测EPD抓取的方法就称为 motor current。 光学检测 由于wafer上的不同物质反射率不同,例如钨(Tunqsten)制程,接近研磨终点时wafer表面材料会从Tungsten转变成Oxide; 而金属Tungsten拥...
CMP终点检测通常依赖于光学或电气测量,常见的检测技术有两种:1,光学终点检测该技术使用光源照射硅片,并检测反射的光。由于不同材料的反射特性不同,因此当研磨暴露出新的材料层时,反射的光的特性将会改变。这种变化可以被检测到,从而确定CMP的终点。 打开网易新闻 查看精彩图片 一般的光学终点检测方法有:反射光强度监测...
单项选择题 CMP终点检测有哪些方法? A、电动机电流CMP 终点检测 B、光学干涉法终点检测 C、红外终点检测 D、以上都是 点击查看答案 你可能感兴趣的试题 问答题 运用比赛法时的注意事项有哪些? 点击查看答案 单项选择题电路如图所示,对节电1、2形成的超节点列方程为( )。 A. B. C. D. 点击查看答案 ...
百度试题 题目CMP 工艺中,常用的终点检测方法有 相关知识点: 试题来源: 解析 光学干涉终点检测红外终点检测电动机电流终点检测 反馈 收藏
多项选择题CMP工艺中,常用的终点检测方法有()。 A.显微镜终点检测 B.光学干涉终点检测 C.电动机电流终点检测 D.四探针法终点检测 点击查看答案 您可能感兴趣的试卷 你可能感兴趣的试题 1.单项选择题采用离心力来填充图形地处,温度比较低,能够获得表面形貌的平滑效果的平坦化技术是()。
一种CMP终点检测装置及方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种CMP终点检测装置及方法说明:本发明提供了一种CMP终点检测装置及方法,该装置包括:第一涡流传感器设置于研磨平台上远离待抛光晶圆导...专利查询请上爱企查
专利名称 CMP终点检测方法与相变存储器底部接触结构形成方法 申请号 2011104460975 申请日期 2011-12-27 公布/公告号 CN103187328B 公布/公告日期 2015-08-05 发明人 朱普磊,蒋莉,黎铭琦,曹均助 专利申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 专利代理人 骆苏华 专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 专利类...
抛光终点检测过程中,电动机电流CMP终点检测不适合进行层间介质检测。 A. 正确 B. 错误 相关知识点: 试题来源: 解析 A 正确答案:A 答案解析:电流CMP不适合进行层间介质CMP检测,这是因为要保留预定的氧化层厚度,没有能弓|起电流变化的材料露出来。
CMP综合终点检测研究-论文 O显徽、测量、徽细加工技术与设备Microscope,Measurement,Microfabricati6n&EquipmentCMP综合终点检测研究周国安,刘多勤,涂佃柳,.詹阳(中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京101601)摘要:在对电机电流终点检测、光学终点检测以及抛光垫温度检测三种终点检测技术的检测原理、特点及其装置分析讨论的...