由于体CMOS集成电路中所固有的寄生NPN和寄生PNP会组成的电路,它在一定的条件下被触发而形成低阻通路,从而产生大电流,并且由于正反馈电路的存在而形成闩锁,导致CMOS集成电路无法正常工作,甚至烧毁芯片,通常把该现象称为闩锁效应。 闩锁效应存在于体CMOS集成电路中,它一直是CMOS集成电路可靠性的一个潜在的严重问题,随着...
2使用两种电源时容易引起闩锁如果驱动电路的电源电压va高于被驱动电路的电源电压vb贝uva通过cmos有电流流向vb从a门输出端拉出电流和b门输入端注入电流增大当电流l10ma时容易出现闩锁 CMOS集成电路的闩锁效应 频数比(%) 3011.闩锁27.5% 2.铝腐蚀20% 253.可动多于物15% 24.金属化缺陷10% 205.键合缺陷7.5% 36....
CMOS集成电路闩锁效应是指在CMOS电路中因为晶体管的漏电流和电容的充放电效应而导致的电路异常工作现象。这种效应会导致电路处于一种稳定的状态,无法响应输入信号,从而影响电路的正常工作。为了避免闩锁效应的出现,需要采取一系列措施,如增加电路的噪声容限、减小晶体管尺寸等。同时,还可以通过设计反相器、设计时序等方法来...
CMOS集成电路的闩锁效应: 所谓闩锁效应指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构被触发导 通,在电源和地之间形成低阻大电流通路的现象。 CMOS电路闩锁往往会造成集成电路电源端和地端键合引线的 过流烧毁。 CMOS电路的闩锁机理: (1)输入保护电路中的SCR的触发 A、输入保护电路为扩散电阻和两个二极管时: 图1时该结构的电...
本书通过具体案例和大量彩色图片,对CMOS集成电路设计与制造中存在的闩锁效应(Latch-up)问题进行了详细介绍与分析。在介绍了CMOS集成电路寄生效应的基础上,先后对闩锁效应的原理、触发方式、测试方法、定性分析、改善措施和设计规则进行了详细讲解,随后给出了工程实例分析和寄生器件的ESD应用,为读者提供了一套理论与工程...
CMOS工艺集成电路的闩锁效应是由寄生双极型晶体管NPN和PNP形成的PNPN结构引起的,可以利用双极型晶体管原理去分析PNPN结构,双极型晶体管原理是理解和分析闩锁效应的物理基础。 本章侧重介绍双极型晶体管原理和CMOS工艺集成电路中的寄生双极型晶体管,以及阱等效电阻。
CMOS工艺集成电路具有高集成度、强抗干扰能力、高速度、低静态功耗、宽电源电压范围、无比例逻辑设计和宽输出电压幅度等优点,这些都是CMOS集成电路潜在的商业价值,早期半导体业界投入了大量资源去研究CMOS集成电路闩锁效应,许多改善闩锁效应的措施被提出,并应用于实际的工艺制程中,例如外延技术、倒阱、NBL、双保护环、双...
CMOS集成电路的性能及特点 CMOS集成电路的性能及特点 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)是一种广泛应用的集成电路(IC)制造技术,它采用互补性金属氧化物半导体材料 2023-12-07 11:37:35 闩锁效应(Latch-up)原理及其抑制方法解析 闩锁效应:实际上是由于CMOS电路中基极和集电极相互连接的两个BJT管子(下图中...
《S CMOS 集成电路闩锁效应》读书札记一、书籍基本信息内容简介:本书专注于 CMOS 集成电路中的闩锁效应,内容涵盖了 CMOS 集成电路的基本原理、制造工艺、闩锁效应的产生机制、分类、模拟与建模、闩锁效应的测试和评估方法,以及针对闩锁效应的电路设计策略与防护措施等。本书旨在帮助读者深入理解闩锁效应在CMOS 集成电路...