CMOS集成电路中的PNPN结构由n型管和p型管组成,分别对应一个npn三极管和一个pnp三极管。当其中一种条件下,比如供电电压的波动或外部干扰信号,使得pn结上的电流增大,就会激发起正反馈作用,导致三极管一直打开或闭合,形成闩锁效应。 为了对抗闩锁效应,有以下几种常见的对策: 1. 提高结深度和扩散方案:通过增加pn结的深度...
闩锁效应的形成机理主要涉及PN结的二极管效应和NPN/PNP双极晶体管的耦合效应。在CMOS集成电路中,NMOS和PMOS晶体管的衬底(substrate)被用作补偿电源,作为N-Well和P-Well的共享基底。当电源或信号引脚电压突然变化时,如果电源和/或输入信号在特定的电压和时间范围内达到一定临界点,会导致PN结形成二极管,在共享基底上产生电...
2使用两种电源时容易引起闩锁如果驱动电路的电源电压va高于被驱动电路的电源电压vb贝uva通过cmos有电流流向vb从a门输出端拉出电流和b门输入端注入电流增大当电流l10ma时容易出现闩锁 CMOS集成电路的闩锁效应 频数比(%) 3011.闩锁27.5% 2.铝腐蚀20% 253.可动多于物15% 24.金属化缺陷10% 205.键合缺陷7.5% 36....
由于体CMOS集成电路中所固有的寄生NPN和寄生PNP会组成的电路,它在一定的条件下被触发而形成低阻通路,从而产生大电流,并且由于正反馈电路的存在而形成闩锁,导致CMOS集成电路无法正常工作,甚至烧毁芯片,通常把该现象称为闩锁效应。 闩锁效应存在于体CMOS集成电路中,它一直是CMOS集成电路可靠性的一个潜在的严重问题,随着...
CMOS集成电路的闩锁效应:所谓闩锁效应指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构被触发导通,在电源和地之间形成低阻大电流通路的现象。CMOS电路闩锁往往会造成集成电路电源端和地端键合引线的过流烧毁。CMOS电路的闩锁机理:(1)输入保护电路中的SCR的触发A、输入保护电路为扩散电阻和两个二极管时:图1时该结构的电路及寄生SCR...
CMOS工艺集成电路的闩锁效应是由寄生双极型晶体管NPN和PNP形成的PNPN结构引起的,可以利用双极型晶体管原理去分析PNPN结构,双极型晶体管原理是理解和分析闩锁效应的物理基础。 本章侧重介绍双极型晶体管原理和CMOS工艺集成电路中的寄生双极型晶体管,以及阱等效电阻。
《S CMOS 集成电路闩锁效应》读书札记一、书籍基本信息内容简介:本书专注于 CMOS 集成电路中的闩锁效应,内容涵盖了 CMOS 集成电路的基本原理、制造工艺、闩锁效应的产生机制、分类、模拟与建模、闩锁效应的测试和评估方法,以及针对闩锁效应的电路设计策略与防护措施等。本书旨在帮助读者深入理解闩锁效应在CMOS 集成电路...
通常闩锁效应是指CMOS集成电路中寄生PNPN结构会在一定的条件下被触发而形成低阻通路,并产生大电流的现象,但是在实际应用中除了寄生PNPN结构会发生闩锁效应,单个NMOS自身寄生NPN也会发生闩锁效应,寄生NPN也具有正反馈机制,寄生NPN也会导致CMOS工艺集成电路无法正常工作,甚至烧毁芯片。
CMOS集成电路的性能及特点 CMOS集成电路的性能及特点 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)是一种广泛应用的集成电路(IC)制造技术,它采用互补性金属氧化物半导体材料 2023-12-07 11:37:35 闩锁效应(Latch-up)原理及其抑制方法解析 闩锁效应:实际上是由于CMOS电路中基极和集电极相互连接的两个BJT管子(下图中...