通常闩锁效应是指CMOS集成电路中寄生PNPN结构会在一定的条件下被触发而形成低阻通路,并产生大电流的现象,但是在实际应用中除了寄生PNPN结构会发生闩锁效应,单个NMOS自身寄生NPN也会发生闩锁效应,寄生NPN也具有正反馈机制,寄生NPN也会导致CMOS工艺集成电路无法正常工作,甚至烧毁芯片。
闩锁效应的分析方法有三种:第一种是传输线脉冲技术,通过TLP测量仪器测量CMOS寄生PNPN结构的I-V曲线,通过I-V曲线研究PNPN结构的特性;第二种是直流测量技术,通过加载直流电压源,利用电流和电压测量仪器测量CMOS寄生PNPN结构的I-V曲线,也是通过I-V曲线研究PNPN结构的特性;第三种是直接利用标准的闩锁效应测试机台加载电流...
高温CMOS集成电路闩锁效应分析
闩锁效应是指CMOS集成电路中寄生结构在特定条件下引发的大电流现象。实际应用中，不仅PNPN结构会发生闩锁效应，NMOS的NPN结构同样可能。NPN结构的正反馈机制可能导致CMOS工艺失效。第五节：PNPN闩锁效应 PNPN闩锁效应通常发生在CMOS反相器电路中，由PMOS和NMOS构成。电路包含的PN结形成纵向和横向的PNP与NPN结构...
高温CMOS集成电路失效的主要原因之一是衬底的源、漏及 阱的pn结形成了pnpn四层寄生可控硅结构,温度升高后引 起可控硅触发导通,导致了闩锁效应的发生虽然一些文献讨 论了CMOS电路的闩锁效应 [4,5] ,但是并没有文献分析高温亚 微米和深亚微米CMOS电路的闩锁效应本文针对亚微米和 深亚微米集成电路的特点,给出了高温...
本文详细地分析了LDD结构高温CMOS集成电路闩锁效应.文中提出了亚微米和深亚微米CMOS集成电路闩锁效应的模型.在该模型中,针对器件的尺寸和在芯片上分布情况,我们认为CMOS IC闩锁效应的维持电流有两种模式:大尺寸MOST的寄生双极晶体管是长基区,基区输运因子起主要作用;VLSI和ULSI中MOST的寄生双极晶体管是短基区,发射效率...
官网CMOS集成电路闩锁效应 温德通 CMOS集成电路设计 闩锁效应原理分析技术书籍 官方正版 作者:温德通 编著出版社:机械工业出版社出版时间:2024年05月 手机专享价 ¥ 当当价降价通知 ¥99.00 定价 ¥99.00 配送至 河北保定市 至北京市东城区 服务 由“机械工业出版社官方旗舰店”发货,并提供售后服务。
《CMOS集成电路闩锁效应》图书正式开始接受定售,添加微信ssywtt 索取图书优惠购买渠道,支持团购。 内容简述: 要了解CMOS中寄生PNPN结构的物理机理,必须要有一种有效的分析方法,目前业界比较常用的分析方法有三种:第一种是传输线脉冲技术,第二种是直流量测技术,第三种是标准的闩锁效应测试机台。然后根据直流量测技术,...