cmos集成电路闩锁效应温德通 CMOS集成电路中的闩锁效应是一种电路现象,它会导致电路的稳定性和可靠性出现问题。温德通效应是一种特殊的闩锁效应,它是由于电荷注入导致晶体管漏电流增加而引起的。温德通效应可能会导致电路的工作速度降低、功耗增加、甚至使电路失效。为了避免温德通效应对电路带来的不利影响,我们需要采取一些...
温德通编著 著 更新时间:2020-10-15 17:40:59 开会员,本书免费读 >最新章节: 作者简介 教材教辅 研究生/本科/专科教材 本书通过具体案例和大量彩色图片,对CMOS集成电路设计与制造中存在的闩锁效应(Latch-up)问题进行了详细介绍与分析。在介绍了CMOS集成电路寄生效应的基础上,先后对闩锁效应的原理、触发方式、...
温德通,资深ESD设计工程师。毕业于西安电子科技大学微电子学院,曾供职于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,负责工艺制程整合方面的工作;后加入晶门科技(深圳)有限公司,负责集成电路工艺制程、器件、闩锁效应和ESD电路设计等方面的工作;目前就职于一家全球领先的集成电路设计公司,负责闩锁效应和ESD电路设计等方面的工作。
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4.7 高 物流履约: 5.0 高 售后服务: 4.6 高 手机下单 进店逛逛|关注店铺 关注 企业购更优惠 CMOS集成电路闩锁效应 温德通 CMOS集成电路设计与制造书籍 温德通著 京东价 ￥降价通知 累计评价 0 促销 展开促销 配送至 --请选择-- 支持 更多商品信息
温德通先生具有多年半导体工艺制程和集成电路设计的产业经验,他的新作《CMOS集成电路闩锁效应》从半导体工艺和电路设计两个角度介绍闩锁效应的理论,同时还融入“ESD保护”方面的知识。该书从闩锁效应的测试方法、触发机理、必要条件,设计规则和改善方式等方面清晰地描述了闩锁效应的理论体系,是一部不可多得的关于CMOS集成电...
温德通,资深ESD设计工程师。毕业于西安电子科技大学微电子学院,曾供职于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,负责工艺制程整合方面的工作;后加入晶门科技(深圳)有限公司,负责集成电路工艺制程、器件、闩锁效应和ESD电路设计等方面的工作;目前就职于一家全球领先的集成电路设计公司,负责闩锁效应和ESD电路设计等方面的工作。
CMOS集成电路闩锁效应是温德通编著创作的教材教辅类小说,起点中文网提供CMOS集成电路闩锁效应部分章节免费在线阅读,此外还提供CMOS集成电路闩锁效应全本在线阅读。起点中文网为您创造CMOS集成电路闩锁效应无广告、无弹窗在线阅读。
[1]温德通.集成电路制造工艺与工程应用 [M].北京:机械工业出版社,2018. [2]LILIENFELD J E.US Patent No.1745175 [P].1930. [3]HEIL O.UK Patent No.439457 [P].1930. [4]斯蒂芬·A.坎贝尔.微电子制造科学原理与工程技术 [M].2版.曾莹,译.北京:电子工业出版社,2003. ...
温德通编著|教材教辅|完结 本书通过具体案例和大量彩色图片,对CMOS集成电路设计与制造中存在的闩锁效应(Latch-up)问题进行了详细介绍与分析。在介绍了CMOS集成电路寄生效应的基础上,先后对闩锁效应的原理、触发方式、测试方法、定性分析、改善措施和设计规则进行了详细讲解,随后给出了工程实例分析和寄生器件的ESD应用,为...