CMOS集成电路的闩锁效应.pdf,CMOS集成电路的闩锁效应 在CMOS集成电路的使用中,对CMOS集成电路的闩锁效应应特别加以重视。根据中 国空间技术研究院1987～1990年卫星用CMOS集成电路失效模式和失效机理分布统计,因 闩锁效应造成的CMOS集成电路失效数占总失效数的27.5%。因此
CMOS电路中的闩锁效应文.pdf,闩锁效应的简介 基于 CMOS 技术的集成电路,是目前大规模 (LSI)和超大规模 (VLSI) 集成电 路中广泛应用的一种电路结构,相对于传统的双极型、 NMOS 和 PMOS 集成电 路而言,其主要的优点是低功耗、较佳的噪声抑制能力、很高的输入阻抗等。虽然
闩锁效应存在于体CMOS集成电路中，它一直是CMOS集成电路可靠性的一个潜在的严重问题，随着CMOS工艺技术的不断发展，工艺技术日趋先进，器件的特征尺寸越来越小，并且器件间的间距也越来越小，集成电路的器件密度越来越大，集成电路的闩锁效应变得越来越严重，特别是在IO电路中。本章侧重介绍闩锁效应出现的背景和概况。第...
高温CMOS集成电路闩锁效应分析
.pdf 文档大小: 212.95K 文档页数: 3页 顶/踩数: 0/0 收藏人数: 0 评论次数: 0 文档热度: 文档分类: 待分类 科技广场2010.30引言CMOS ComplementaryMetal—Oxide—Semiconductor 集成电路是目前大规模 LSI 和超大规模 VLSI 集成电路中广泛应用的一种电路结构,相对于传统的双极型、NMOS和PMOS集成电路而言,其在功...
CMOS集成电路闩锁效应抑制技术综述
CMOS集成电路闩锁效应抑制技术
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