由于其较高的工作气压,CCP刻蚀通常需要考虑等离子体的均匀性和刻蚀速率的平衡。 实际应用角度为: 刻蚀键能较大如oxide的物质,用CCP;刻蚀金属/多晶,ICP更好。 前道难点工艺,深硅槽刻fin这种,都还是要应用ICP。后段互联层挖深孔刻lowk这种,还是要用到CCP。 具体设备选型,要结合实际...
与直流放电相比,交流放电可以高效率的生成高密度低温等离子体。常用的交流放电等离子体装置包括电容耦合等离子体(CCP)、感应耦合等离子体(ICP)。它们常用于芯片和薄膜制备中的刻蚀、沉积工艺。 CCP:通过外部施加射频电场对电子的加速作用引起电离而产生等离子体。射频电场性质同静电场,旋度为零,电场的方向垂直于电极面,具...
因此，ICP刻蚀被广泛应用于硅、二氧化硅、III-V族化合物、金属等多种材料的精细加工。另一方面，电容式等离子刻蚀（CCP）技术则是通过在电极上施加射频电压来产生等离子体。在这一过程中，电极与等离子体之间形成一个电容，电子在电场的作用下获得能量并引发气体分子的电离。与ICP刻蚀不同，CCP刻蚀通常在较高的压力下...
较CCP机台中电子的平均自由程更大，因此可以在更低的chamber压力下激发出plasma，因此ICP中plasma密度比CC...
由于其较高的工作气压,CCP刻蚀通常需要考虑等离子体的均匀性和刻蚀速率的平衡。 实际应用角度为: 刻蚀键能较大如oxide的物质,用CCP;刻蚀金属/多晶,ICP更好。 前道难点工艺,深硅槽刻fin这种,都还是要应用ICP。后段互联层挖深孔刻lowk这种,还是要用到CCP。
相比较于CCP，ICP的离子密度和离子能量可以独立控制（SRF控制离子密度，BRF控制离子能量），即ICP拥有更宽...
icp和ccp并非说一定高低区分,但是icp适用金属 多晶(硅)的科蚀,ccp适用于耦合键能比较大的氧化物的科蚀。两者的人plasma的产生方式不同,导致温度,能量等不同。适用于不同的晶圆的层级。从目前信息看,的确中微在台积电逻辑制程这里做关键层(我指硅这一层)没有或者较少,在金属链接这一层可能有,在通孔这一层可能...
这里不多做评论）但经过建模分析和实际应用后发现，在Oxide深孔刻蚀方面，CCP对ICP仍有无可比拟的优势，...
ICP与CCP在Coil/上电极于Chamber内的位置上有所不同，ICP的Coil位于Chamber外侧，而CCP的Coil置于Chamber顶部。ICP中还配备有法拉第屏蔽板，用于过滤掉Coil与等离子体之间的寄生电容耦合，保证Chamber内等离子体的纯度。综上所述，ICP与CCP在等离子体产生原理、结构特点、以及应用方面各有优势。ICP在更低压力...
ICP刻蚀和CCP刻蚀的原理确实有所不同哦。ICP,也就是感应耦合等离子体刻蚀,它是通过高频电源产生高频电场,然后利用电感耦合把能量传给气体,让气体电离成等离子体。这些带电粒子在电场加速后,会撞到材料表面,从而实现刻蚀。而CCP,即电容耦合等离子体刻蚀,是在电极上加射频电压来产生等离子体,电子在电场作用下获能,引发...