根据产生等离子体方法的不同,干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀和电感性等离子体刻蚀。 电感性等离子体刻蚀(ICP)技术通过射频电源激发气体产生等离子体,是物理过程和化学过程共同作用的结果,在真空低气压下,ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈,以一定比例混合的气体经耦合辉光放电,...
对于刻蚀键能较大的物质，如氧化物，CCP刻蚀表现更佳。而在刻蚀金属或多晶材料时，ICP刻蚀可能更为合适。在前道工艺中，如深硅槽刻fin等难点工艺，仍需依赖ICP刻蚀技术。后段互联层中挖深孔刻lowk等工艺，则更适合采用CCP刻蚀。设备选型建议：综合考虑实际刻蚀的layer材料、现有工艺benchmark、成本以及产能需求，来...
ICP和CCP干法刻蚀的主要区别在于产生等离子体的方式和刻蚀效果。 1. 产生等离子体的方式:ICP利用感应耦合产生等离子体,而CCP利用电容耦合产生等离子体。 2. 刻蚀效果:ICP干法刻蚀具有较好的刻蚀均匀性和精度,但对材料表面的损伤相对较大;CCP干法刻蚀设备简化、成本更低,对材料表面的损伤较小,但刻蚀速率较慢且不均匀。
ICP刻蚀和CCP刻蚀的原理确实有所不同哦。ICP,也就是感应耦合等离子体刻蚀,它是通过高频电源产生高频电场,然后利用电感耦合把能量传给气体,让气体电离成等离子体。这些带电粒子在电场加速后,会撞到材料表面,从而实现刻蚀。而CCP,即电容耦合等离子体刻蚀,是在电极上加射频电压来产生等离子体,电子在电场作用下获能,引发...
ICP刻蚀技术具有刻蚀速率快、选择比高、各向异性高、刻蚀损伤小、大面积均匀性好、刻蚀断面轮廓可控性高和...
（一）ICP产生原理及特点 电感耦合等离子体的产生是通过在Chamber顶部绝缘板上的漩涡状感应线圈【①Coil：...
从实际应用角度看，对于键能较大的氧化物材料的刻蚀，CCP更为适用；而对于金属或多晶材料的刻蚀，ICP则更为高效。在前道工艺中，如深硅槽刻fin这类复杂工艺，通常采用ICP设备；而后段互联层挖深孔刻lowk这类工艺，则倾向于使用CCP设备。在具体设备选型时，需要综合考虑所要刻蚀的材料层、现有的工艺基准...
1.中微刻蚀以ccp为主,icp在储备发力阶段。 2.需要拿到刻蚀设备在各节点制程里的能拿下的工艺分布情况。
型号 ccp刻蚀设备与ICPJL-VM200 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活...