电感性等离子体刻蚀(ICP)技术通过射频电源激发气体产生等离子体,是物理过程和化学过程共同作用的结果,在真空低气压下,ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈,以一定比例混合的气体经耦合辉光放电,产生高密度的等离子体,在下电极RF射频作用下,这些等离子对基片表面进行轰击,基片材料的化学...
因此，ICP刻蚀被广泛应用于硅、二氧化硅、III-V族化合物、金属等多种材料的精细加工。另一方面，电容式等离子刻蚀（CCP）技术则是通过在电极上施加射频电压来产生等离子体。在这一过程中，电极与等离子体之间形成一个电容，电子在电场的作用下获得能量并引发气体分子的电离。与ICP刻蚀不同，CCP刻蚀通常在较高的压力下...
ICP刻蚀和CCP刻蚀的原理确实有所不同哦。ICP,也就是感应耦合等离子体刻蚀,它是通过高频电源产生高频电场,然后利用电感耦合把能量传给气体,让气体电离成等离子体。这些带电粒子在电场加速后,会撞到材料表面,从而实现刻蚀。而CCP,即电容耦合等离子体刻蚀,是在电极上加射频电压来产生等离子体,电子在电场作用下获能,引发...
ICP干法刻蚀是利用感应耦合等离子体(ICP)产生的高能粒子对材料表面进行刻蚀。具体过程如下: 1. 高频电源产生高频电场,通过电感耦合将能量传递给气体,使气体处于等离子体状态。 2. 气体在高频电场的作用下,电离成等离子体,形成带电粒子,其中包括正离子、电子等。 3. 正离子通过感应耦合电场加速,进入气体与材料相接触的...
型号 ccp刻蚀设备与ICPJL-VM200 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活...
ICP:1) 刻蚀速率快、选择比高、损伤小; 2)均匀性没有ccp好; 3)污染或者damage小于ccp。 市场情况如何? 基本一半一半。 2023年全球CCP刻蚀设备市场约104亿美元,ICP刻蚀设备市场约99亿美元; 2023年中国刻蚀设备市场约390亿元,CCP和ICP基本平分。 玩家情况如何?
4. CCP刻蚀设备的市场 下图是2022年的全球半导体市场份额以及刻蚀设备的市场份额。其中CCP和ICP基本所占比例相同,约736亿元的市场。 随着3D NAND 的发展,CCP刻蚀机的应用也越来越多。刻蚀要在氧化硅和氮化硅一对的叠层结构上加工40:1到60:1甚至100:1的极深孔或极深的沟槽。从64层到196层,刻蚀设备在总设备投资...
根据产生等离子体方法的不同,干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀和电感性等离子体刻蚀。 电感性等离子体刻蚀(ICP)技术通过射频电源激发气体产生等离子体,是物理过程和化学过程共同作用的结果,在真空低气压下,ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈,以一定比例混合的气体经耦合辉光放电,产生高密度的等离子体,在下电极RF...
等离子密度差异导致ICP相对适合高速刻蚀，CCP相反；等离子能量差异导致ICP相对适合低损刻蚀，CCP相反；以材料...
从实际应用角度看，对于键能较大的氧化物材料的刻蚀，CCP更为适用；而对于金属或多晶材料的刻蚀，ICP则更为高效。在前道工艺中，如深硅槽刻fin这类复杂工艺，通常采用ICP设备；而后段互联层挖深孔刻lowk这类工艺，则倾向于使用CCP设备。在具体设备选型时，需要综合考虑所要刻蚀的材料层、现有的工艺基准...