电感性等离子体刻蚀(ICP)技术通过射频电源激发气体产生等离子体,是物理过程和化学过程共同作用的结果,在真空低气压下,ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈,以一定比例混合的气体经耦合辉光放电,产生高密度的等离子体,在下电极RF射频作用下,这些等离子对基片表面进行轰击,基片材料的化学...
型号 ccp刻蚀设备与ICPJL-VM200 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活...
国内公司宣传的刻蚀已经能做到5,而这5只是刻蚀的其中一环CCP介质刻蚀里的十多种设备中最容易的普通通孔刻蚀, 整个芯片不论前后道制程ICP与CCP一共不少于30种刻蚀设备,XX与XX无一例外,只能做最容易的那1/4,其中最简单的确实能做到5,剩下门坎较高的一律还得LAM、AMAT、TEL。 既然微导纳米在存储芯片制造领域如此...
ICP干法刻蚀是利用感应耦合等离子体(ICP)产生的高能粒子对材料表面进行刻蚀。具体过程如下: 1. 高频电源产生高频电场,通过电感耦合将能量传递给气体,使气体处于等离子体状态。 2. 气体在高频电场的作用下,电离成等离子体,形成带电粒子,其中包括正离子、电子等。 3. 正离子通过感应耦合电场加速,进入气体与材料相接触的...
Plasma中离子鞘层产生原理以及鞘层内离子行为；②CCP的上下电极比大于ICP，因此CCP可以获得比ICP更高的...
根据产生等离子体方法的不同,干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀和电感性等离子体刻蚀。 电感性等离子体刻蚀(ICP)技术通过射频电源激发气体产生等离子体,是物理过程和化学过程共同作用的结果,在真空低气压下,ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈,以一定比例混合的气体经耦合辉光放电,产生高密度的等离子体,在下电极RF...
北方华创：ICP刻蚀、CCP刻蚀、TSV刻蚀设备可满足多种技术代的存储芯片制造 金融界2月28日消息，有投资者在互动平台向北方华创提问：您好，请问公司的刻蚀设备、TSV设备目前及未来是否可以应用于DRAM、HBM等存储芯片制造中吗？公司回答表示：公司的ICP刻蚀、CCP刻蚀、TSV刻蚀设备可以满足多种技术代的存储芯片制造。本文...
从实际应用角度看，对于键能较大的氧化物材料的刻蚀，CCP更为适用；而对于金属或多晶材料的刻蚀，ICP则更为高效。在前道工艺中，如深硅槽刻fin这类复杂工艺，通常采用ICP设备；而后段互联层挖深孔刻lowk这类工艺，则倾向于使用CCP设备。在具体设备选型时，需要综合考虑所要刻蚀的材料层、现有的工艺基准...
实际应用角度：刻蚀键能较大如oxide的物质，用CCP；刻蚀金属/多晶，ICP更好。前道难点工艺，深硅槽刻...
ICP (Inductively Coupled Plasma)是一种高功率高密度等离子体刻蚀技术,适用于导体材料的刻蚀。该技术利用高频电场激发气体放电产生等离子体,在网络状电极中加入高频电源,产生高密度等离子体,能够快速刻蚀导电材料。 CCP (Capacitively Coupled Plasma)是一种低功率低密度等离子体刻蚀技术,适用于介质材料的刻蚀。该技术利用...