Dunga MV et al (2008) BSIM CMG: a compact model for multi-gate transistors. In: Colinge J-P (ed) FinFETS and other multi-gate transistors. Springer, New YorkM. Dunga, C. Lin, A. Niknejad, and C. Hu, "BSIM-CMG: A compact model for multi-gate transistors," in FinFETs and ...
网络共多栅极晶体管 网络释义 1. 共多栅极晶体管 ...eling Interface, TMI)和伯克利共多栅极晶体管(BSIM-CMG)模型。 www.eeworld.com.cn|基于3个网页
BSIM-CMGModel：BSIM-CMG模型
艾克赛利(Accelicon),器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者,宣布将在其新版本的Model Builder Program(MBP)中将支持台积电建模接口(TSMC Modeling Interface, TMI)和伯克利共多栅极晶体管(BSIM-CMG)模型。 TMI是台积电为40nm及以下尺寸紧凑SPICE器件建模提供的一套方案。它基于标准C语言开发,支持标准紧凑模型的扩展...
BSIM-CMG模型智能提取软件是由中山大学著作的软件著作,该软件著作登记号为:2024SR0950766,属于分类,想要查询更多关于BSIM-CMG模型智能提取软件著作的著作权信息就到天眼查官网!
terminalBSIMCMG-BULKmode (withD,G,S,Bports). BerkeleyCommon-GateMulti-GateMOSFETModel • Physicalsurface-potential-basedformulations arederivedforbothintrinsicandextrinsic modelswithfinitebodydoping • Thesurfacepotentialsatthesourceanddrain
提出了一种适用于FinFET变容管的建模方法.在BSIM-CMG的基础上,模型采用衬底模型和外围寄生模型来表征变容管的射频寄生效应.提出了具体的参数提取方法,将测试的S参数导入到安捷伦IC-CAP建模软件提取参数,测试结构引入高频寄生采用(open+short)去嵌方法进行去嵌.通过调节模型参数拟合测试曲线得到FinFET变容管模型.该模型...
Performance investigation of heterogeneous gate dielectric-gate metal engineered–gate all around-tunnel FET for RF applications 星级: 10 页 A dopingless gate-all-around (GAA) gate-stacked nanowire FET with reduced parametric fluctuation effects 星级: 10 页 BSIM-CMG: A Compact Model for Multi-...
硕硕士学位论文题题目:基于BSIM--GCMG的的TFinFET器件模型的研究研研究生朱袁科专专业电子科学与技术指导教师李文钧教授刘军研究员完成日期018年3月万方数据