AZ5214光刻胶是一种正/负可改变型的光刻胶,比较适合高分辨率工艺,特别是lift-off工艺。它的膜厚选择范围较宽,能够满足正/负图形的需求。在实验室和一些小型工艺中,AZ5214光刻胶因其反转剥离金属的工艺而被广泛应用。它的反转工艺涉及到光化学反应和化学显影过程,通过高温烘焙和泛曝光处理,实现图像的反转特性。
正胶S1800光刻胶属于紫外光刻胶-薄胶,适用于g-Line,broad line光谱,厚度范围在0.5-3.5um,分辨率为0.5um,正胶S1800光刻胶是正性光刻胶,稳定性好;适用于分辨率要求较高的光刻工艺。 AZ5214属于紫外光刻胶-薄膜,适用g/h/i-Line光谱,厚度范围在1-2um之间,分辨率为0.5um,通常应用于反转胶工艺。 BCI-3511属于...
随着硫系光子器件的发展,对高质量硫系光波导的需求日益增多。在硫系 光波导制备方面,最常用的是干法刻蚀,但该方法在显影过程中使用的碱性显 影液会腐蚀硫系玻璃材料尤其是AsS,为了改善这一状况,研究者提出在硫系 23 波导的制备过程中增加保护层。本文发现AZ5214光刻胶在一定的曝光剂量、合 ...
光刻胶是一种在光照作用下发生化学变化的材料，它被广泛应用于半导体制造、微电子制造和印刷电路板制造等领域。az5214 光刻胶是一种高性能的光刻胶，它的成分主要包括以下几个部分：一、主要成分 az5214 光刻胶的主要成分包括感光树脂、溶剂、添加剂等。感光树脂是光刻胶的核心部分，它会在光照作用下产生化学变化...
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AZ5214反转胶在电镀工艺中的应用构 下载积分: 350 内容提示: 2014 年 7 月( 上)[摘 要] 介绍了一种基于反转光刻胶的电镀工艺,改善了电镀后器件剖面的形貌,有效的减小了后续淀积隔离介质产生的空洞。通过实验,优化了光刻显影工艺参数,并成功应用与批量生产中,提高了器件的可靠性与生产的成品率。[关键词] 反转...
AZ5214光刻实验数据
PSPI类似于光刻胶,在紫外光、α射线、X射线等的辐射下,被照射部分的结构会发生变化,能够溶解在相应溶剂中,可以用于制作精密的图案。 PI有什么优良特性?介电特性好:介电常数通常在3.0到3.5之间,改良后可降至2.5;介电强度很高,通常在200至300 kV/mm之间;体积电阻率非常高,在10^16至10^18 Ω·cm之间;表面电阻...
光刻胶 AZ胶 正胶 负胶 AZ5214E AZ5200E AZ4562 AZ1500系列 价格 ￥1050.00 ~ 4200.00 起订量 1瓶起批 货源所属商家已经过真实性核验14人想买 发货地 江苏 苏州 型号/规格 AZ5214E(25cp)125ml/瓶 1050.00元 AZ5214E(25cp)250ml/瓶 2100.00元 AZ5214E(25cp)500ml/瓶 4200.00元 AZ4620...
AZ5214 g/h/i-Line 1-2um 0.5um 反转胶 BCI-3511 i-Line 0.5-2 0.5um 正性i线光刻胶,适用于各类接触式光刻机(mask aligner)、stepper SPR 955 i-Line 0.5-3.5 0.35um 正性i线光刻胶,适用于分辨率要求较高的湿法腐蚀和干法刻蚀 AZ 1500 g/h/i-Line 0.5-5 1um 正性光刻胶,...