光刻胶AZ5214的匀胶厚度范围通常为1.5μm至3μm,这意味着在实际操作中需要通过调整旋转涂胶机的转速和时间来精确控制胶层的厚度,以达到实验所需的300纳米精度。 2. 前烘 前烘是光刻工艺中的重要步骤,有助于去除光刻胶中的溶剂,...
随着微电子技术的不断发展,对光刻胶的要求也越来越高。AZ5214光刻胶凭借其优异的性能,满足了现代微电子制造的高标准严要求,为推动行业进步做出了重要贡献。 综上所述,AZ5214光刻胶是一种典型的正性光刻胶,具有高分辨率、高对比度、良好的附着力和抗刻蚀性等优点,在微电子制造领域发挥着重...
英格尔检测集团 AZ5214光刻胶是一种正/负可改变型的光刻胶,比较适合高分辨率工艺,特别是lift-off工艺。它的膜厚选择范围较宽,能够满足正/负图形的需求。在实验室和一些小型工艺中,AZ5214光刻胶因其反转剥离金属的工艺而被广泛应用。它的反转工艺涉及到光化学反应和化学显影过程,通过高温烘焙和泛曝光处理,实现图像...
一、光刻胶概述 1.光刻胶的定义 2.光刻胶的作用 二、az5214 光刻胶成分 1.主要成分 2.辅助成分 三、光刻胶的应用领域 1.半导体制造 2.微电子制造 3.印刷电路板制造 四、光刻胶的发展趋势 1.技术创新 2.环保要求 3.市场前景 正文：光刻胶是一种在光照作用下发生化学变化的材料，它被广泛应用于半导体...
型号AZ 5214E AZ 5214E 正/负可改变型光刻胶具有高解像度图形反转正/负可改变型光刻胶,特别为lift-off工艺优化 AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。 AZ光刻胶特点: 适用于高分辨率工艺(lift-off工艺) 适用于正/负图形 很宽的膜厚范围
az5214e高解像度图形反转正/负可改变型光刻胶,特别为lift-off工艺优化。az5214e匀胶厚度1.5μm~3μm,az5200e系列匀胶厚度为:0.5μm~6μm。 az5214e特征: 1) 适用于高分辨率工艺(lift-off工艺); 2) 适用于正/负图形; 3) 很宽的膜厚范围。 az 5200e系列光刻胶参考工艺条件: 前烘:100℃ 60秒 (dh...
主营商品:刻蚀液、蚀刻液、清洗液、增粘剂、显影液、电池板、粘着剂、清洗剂、漂洗液、剥离液、灌封胶、光刻胶、促进剂、线路板、去胶液、介电材料、聚酰亚胺、光敏涂料、液体锐材、倒模硅胶、芯片封装、环氧树脂、电子束胶、液态硅胶、国产试剂 进入店铺 全部商品 店...
AZ5214 g/h/i-Line 1-2um 0.5um 反转胶 BCI-3511 i-Line 0.5-2 0.5um 正性i线光刻胶,适用于各类接触式光刻机(mask aligner)、stepper SPR 955 i-Line 0.5-3.5 0.35um 正性i线光刻胶,适用于分辨率要求较高的湿法腐蚀和干法刻蚀 AZ 1500 g/h/i-Line 0.5-5 1um 正性光刻胶,...
光刻胶 AZ胶 正胶 负胶 AZ5214E AZ5200E AZ4562 AZ1500系列 价格 ￥1050.00 ~ 4200.00 起订量 1瓶起批 货源所属商家已经过真实性核验14人想买 发货地 江苏 苏州 型号/规格 AZ5214E(25cp)125ml/瓶 1050.00元 AZ5214E(25cp)250ml/瓶 2100.00元 AZ5214E(25cp)500ml/瓶 4200.00元 AZ4620...
正胶S1800光刻胶属于紫外光刻胶-薄胶,适用于g-Line,broad line光谱,厚度范围在0.5-3.5um,分辨率为0.5um,正胶S1800光刻胶是正性光刻胶,稳定性好;适用于分辨率要求较高的光刻工艺。 AZ5214属于紫外光刻胶-薄膜,适用g/h/i-Line光谱,厚度范围在1-2um之间,分辨率为0.5um,通常应用于反转胶工艺。