物質安全資料表一、 物品與廠商資料 物品名稱 : AZ 300MIF DEVELOPER 顯影劑 物品編號 : 製造商或供應商名稱: 供應商 - 台灣科萊恩股份有限公司 製造商 – Clariant (Japan) K.K. Technical & Production Dept. 製造商或供應商地址: 供應商 - 台北市建國北路一段 96 號 5 樓 工廠 - 3810 Chihama ...
AZ5214E P r o d u c t D a t a S h e e t AZ 5214 E Image Reversal Photoresist ...
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Telephone No.: 800-515-4164 Information on the substance/preparation Product Safety: 908-429-3562 Emergency Tel. number: 800-424-9300 CHEMTREC Trade name:AZ(R) 300 MIF DEVELOPER Section 02 - Composition information Hazardous ingredients:Chemical Name CAS-no. (Trade secret no.) Concentration ...
AZ 300MIF 加仑/ 韩国 AZ 726MIF 5L 德国 AZ 826MIF 5L 德国 AZ 340developer 5L 德国 去胶液 AZ 400T 加仑/200L 日本 AZ Remover700 加仑 日本 AZ Kwik stripper 加仑 日本 HMDS AZ AD promoter 加仑 日本 Barc AZ BARLI II-200(i-line) 加仑 美国 AZ BARLI-TF 加仑...
AZ 400K Developer显影液信息 热度: 重氮复印机用无氨显影液+技术条件 热度: AZ_PR光刻胶的数据资料(PDF精品) 热度: 相关推荐 AZ 300MIF 显影液技术资料,AZ 300MIF 显影液技术资料——所有资料文档均为本人悉心收集,全部是文档中的精品,绝对值得下载收藏!,显影液,AZ,资料,技术,显影,◆...
AZ nLoF 2070 Photoresist (Qrt) Typical Process Soft Bake: 110C (60s) Expose: i-line/broadband Post Expose Bake: 110C/60s Develop: spray or puddle Developer: AZ 300MIF 7.0µm Lines in AZ nLoF 2070 7.0µm film thickness 180mJ/cm2 i-line exposure ...
显影:az300mif (2.38%) 23℃ 30~60秒puddle; :az developer(1:1)23℃ 60秒dipping; :az400k(1:4)23℃ 60秒dipping; 清洗:去离子水30秒; 后烘:120℃ 120秒 (dhp); 剥离:az剥离液及/或氧等离子体灰化; 产品型号: 型号 az5206e az5214e az5218e az5200nj 粘性 7mpa 25mpa 40mpa 85mpa azp...
None • Expose: 365nm sensitive • Post Expose Bake: 90ºC/60s • Develop: Puddle, spray or immersion • Developer Type: MIF * PEB is required for proper imaging SPIN CURVES (150MM SILICON) AZ ® 12XT -20PL Series Chemically Amplified Positive Tone Photoresists
显影:az300mif (2.38%) 23℃ 30~60秒puddle; :az developer(1:1)23℃ 60秒dipping; :az400k(1:4)23℃ 60秒dipping; 清洗:去离子水30秒; 后烘:120℃ 120秒 (dhp); 剥离:az剥离液及/或氧等离子体灰化; 产品型号: 型号 az5206e az5214e az5218e az5200nj 粘性 7mpa 25mpa 40mpa 85mpa azp...