AZ(R) 726 MIF Developer
l 光刻胶厚度范围约 3-30微米 az ® 4500系列(az ® 4533和az ® 4562)的溶剂浓度不同,因此可达到的光刻胶膜厚有较大的范 AZ726MIF显影液,AZ P4210,AZ P4330 展开全文 仪表 »仪器仪表配附件 »其他仪器仪表配附件 » 厦门其他仪器仪表配附件 我们...
develop process sequence; no under layers required. Side wall angles are process tunable from strong retro-grade for lift-off, to 90 degrees vertical for RIE. Removal is easy with standard photoresist strippers. Coated film thickness range is 1.8 to 10µm. (AZ 300MIF or AZ 726MIF ...
日本 显影液 AZ 400K (KOH) 加仑/200L 台湾 AZ 300MIF 加仑/ 韩国 AZ 726MIF 5L 德国 AZ 826MIF 5L 德国 AZ 340developer 5L 德国 去胶液 AZ 400T 加仑/200L 日本 AZ Remover700 加仑 日本 AZ Kwik stripper 加仑 日本 HMDS AZ AD promoter 加仑 日本 Barc AZ BARL...
az_eci_3027_photoresist
二、 成份辨識資料 純物質: 中( 英) 文名稱: AZ 300MIF DEVELOPER 顯影劑 同義名稱: 化學文摘社登號碼 (CAS No.) : 危物成份(含量%): 混合物: 化學性質: 危害物質成份之中英文名稱 濃度或濃度範圍(成份百分比) 危害物質分類及圖示 氫氧化四甲銨 Tetramethylammonium hydroxide 2% TMAH Existing Chem. Subst...
AZ5214E P r o d u c t D a t a S h e e t AZ 5214 E Image Reversal Photoresist ...
726MIF,AZ ® 917MIF Removers AZ ® 400T,AZRemover770 technicaldatasheet AZ ® nLOF ™ 2000Series NegativeTonePhotoresistsforSingleLayerLift-Off 2.0µmlinesand2.0µmisotrench 3.5µmthickAZnLOF2035 72mJ/cm 2 i-lineExposure AZ300MIFDevelop(120s) ...
如果必须使用不含金属离子的显影液,我们建议使用基于tmah基的az®326 mif,az®726 mif或az®826mif显影剂(未稀释)。 去胶剂——适用于az ® 4500光刻胶 对于非交联的光刻胶薄膜,可以使用az®100作为去胶剂,dmso或其他常见的有机溶剂作为剥离剂。如果光刻胶膜已交联(例如,在干法蚀刻等离子工艺或离子注...
物質安全資料表一、 物品與廠商資料 物品名稱 : AZ 300MIF DEVELOPER 顯影劑 物品編號 : 製造商或供應商名稱: 供應商 - 台灣科萊恩股份有限公司 製造商 – Clariant (Japan) K.K. Technical & Production Dept. 製造商或供應商地址: 供應商 - 台北市建國北路一段 96 號 5 樓 工廠 - 3810 Chihama ...