之后，AMSL 于 2017 年推出了 TWINSCANNXE:3400B，将光刻机的制程（即最小的电路栅格间距离）从 7 纳米推到了 5 纳米。2020 年初，AMSL 发货了第 100 台 EUV 光刻机。再到 2023 年，再次推出了 High NA EUV 光刻机 TWINSCAN EXE:5000。从 AMSL 的路线图来看，在 2025 年还要推出将新一代 High-NA E...
据称，ASML 明年规划产能仅有 10 台，而英特尔已经预订了其中 6 台，不过 ASML 计划在未来几年内将此设备产能提高到每年 20 台。目前，ASML 官网列出的 EUV 光刻机仅有两款 ——NXE:3600D 和 NXE:3400C，均配备 0.33 NA的反射式投影光学器件及13.5nm EUV 光源，分别适用于 3/5nm 和 5/7nm 芯片制...
2013年,ASML发售第二代EUV系统NXE:3300B,但是精度与效率不具备10nm以下制程的生产效益;2015年ASML又推出第三代EUV系统NXE:3350。2016年,第一批面向制造的EUV系统NXE:3400B开始批量发售,NXE:3400B的光学与机电系统的技术有所突破,极紫外光源的波长缩短至13nm,每小时处理晶圆125片,或每天可1500片;连续4周的平均生产...
IT之家 5 月 29 日消息,半导体行业花了十多年的时间来准备极紫外线 (EUV) 光刻技术,而新的高数值孔径 EUV 光刻(High-NA EUV)技术将会比这更快。 目前,最先进的芯片是 4/5 纳米级工艺,下半年三星和台积电还能量产 3nm 技术,而对于使用 ASML EUV 光刻技术的 Twinscan NXE:3400C 及类似系统来说,它们大...
荷兰光刻机大厂 ASML 交出优于预期的首季财报,公司透露已看到逻辑芯片的技术节点快速转换中,量产型极紫外光(EUV)系统 NXE : 3400C 除了导入逻辑客户端之外,也将推进到 DRAM 内存产业,可以预见, EUV 光刻机的下一个攻城掠地之所,将是 DRAM 存储产业,传出当中最积极的客户是三星电子。 根据第一季度财报,ASML...
对于后 3nm 时代,ASML 及其合作伙伴正在开发一种全新的 EUV 光刻机 ——Twinscan EXE:5000 系列,该系列机器将具有 0.55 NA(高 NA)的透镜,分辨率达 8nm,从而在 3 nm 及以上节点中尽可能的避免双重或是多重曝光。 IT之家了解到,目前三星和台积电的技术均可采用单次曝光的 EUV 技术(NXE 3400C),但是当节点...
所以一台ASML的NXE:3400C EUV光刻机，一小时就可以生产7.65万块麒麟9000芯片，再考虑到90%的可用率，那么也是6.885万块。1天24小时可以生产165.24万块芯片，一个月就是4957.2万片麒麟9000芯片，一年就是5.95亿片。可见，只要如果我们能够买到一台ASML的NXE:3400C EUV光刻机，不需要最新的NXE:3600D，国内...
众所周知，ASML是全球唯一能生产 EUV（极紫外线）的荷兰厂商。其制造的光刻机被誉为半导体行业“皇冠上的明珠”。凭借可支持7nm、5nm两种工艺的NXE:3400B和改进型的NXE:3400C光刻机，ASML成为了独霸全球的光刻机垄断厂商。骄傲的ASML曾公开扬言，就算公开图纸也不怕被山寨。ASML的首席执行官 Peter Wennink还特意...
0.33 NA 目前主力出货的TWINSCAN NXE: 3600D套刻精度为1.1nm，曝光速度30 mJ/cm2，每小时曝光160片晶圆，年产量为140万片。据悉，NXE:3600D能达到93%的可用性，2023年有望达到进DUV光刻机95%的可用性。从2017年第二季出货第一台量产机型TWINSCAN NXE: 3400B至今，包括NXE: 3400B、NXE: 3400C和NXE: ...
面向3nm！ASML将于2021年推下一代EUV光刻机 IT之家2月19日消息 IT之家获悉，ASML正在研发新一代EUV光刻机EXE:5000系列，最快会于2021年面世。据IT之家了解，现在ASML销售的光刻机主要为NXE:3400B和改进型的NXE:3400C，结构上相似。差别在于NXE:3400C采用模块化设计，将平均维护时间从48小时缩短到8-10小时...