AEC - Q100-005 - Rev-D - 非易失性存储器程序-擦除耐久性.Non-Volatile Memory Program-Erase Endurance Data Retention and Operational Life Test.pdf14页 内容提供方:请输入昵称 大小:63.13 KB 字数:约4.29万字 发布时间:2022-05-19发布于广东
AEC-Q100-005-REV-D October11,2011 ComponentTechnicalCommittee AutomotiveElectronicsCouncil ATTACHMENT5 AEC-Q100-005-REV-D NON-VOLATILEMEMORYPROGRAM/ERASEENDURANCE, DATARETENTION,ANDOPERATINGLIFETEST AEC-Q100-005-REV-D October11,2011 ComponentTechnicalCommittee ...
AEC-Q100-G-中文版.pdf,基于集成电路应力测试认 证的失效机理 内容列表 AEC-Q100 基于集成电路应力测试认证的失效机理 附录1:认证家族的定义 附录2:Q100设计、架构及认证的证明 附录3:邦线测试的塑封开启 附录4:认证计划和结果的最低要求 附录5:决定电磁兼容测试的零件
Q100-001 邦线切应力测试 AEC-Q100-002 人体模式静电放电测试 AEC-Q100-003 机械模式静电放电测试 AEC-Q100-004 集成电路闩锁效应测试 AEC-Q100-005 可写可擦除的永久性记忆的耐久性,数据保持及工作寿命的测试 AEC-Q100-006 热电效应引起的寄生闸极漏电流测试 AEC-Q100-007 故障仿真和测试等级 AEC-Q100-008 ...
AEC-Q100-003机械模式静电放电测试 AEC-Q100-004积体电路閂锁效应测试 AEC-Q100-005可写可擦除的永久性记忆的耐久性、资料保持及工作寿命的 测试 AEC-Q100-006热电效应引起的寄生闸极漏电流测试 AEC-Q100-007故障仿真和测试等级 AEC-Q100-008早期寿命失效率(ELFR) ...
以下是对文档《AEC_Q100_Rev_J_Base_Document.pdf》各个章节的详细总结: 目录 1. 范围(Scope) 目的:该文档定义了基于失效机制的应力测试和集成电路(ICs)资格认证的参考测试条件,以确定器件在应用中的质量和可靠性。 参考文档:包括汽车(如 AEC - Q001 等)、军事(如 MIL - STD - 883)和工业(如 JEDEC JESD...
1. 非易失性存储耐久试验(数据保持)(EDR-HTDR) 1.1 测试信息 样品数量:每批80颗,3批次;共240颗待测芯片(实验前样品已通过高低温Erase Endurance Cycling Test) 参考方法:AEC-Q100-005 测试温度:Ta = +105℃ 测试时间:1000小时 测试确认:芯片功能/性能测试(试验前后在室温、高温分别进行电测。) ...
AEC-Q100是什么 AEC-Q100 为 AEC 组织所制订的车用可靠性测试标准,为 3C&IC 厂商打进国际车用 大厂模块的重要入场卷,也是提高台湾 IC 可靠性质量的重要技术,此外,目前国际大厂已 经通过车用安全性标准(ISO-26262),而 AEC-Q100 则为通过该标准的基本要求。 车用电子件区分为三大类别,包括 IC 元件、离散...
AEC-Q100标准解读之AEC Q005 Lead (Pb) Free (LF)Lead (Pb) Free (LF) 参考标准: AEC Q005; 目的:验证器件引脚电镀完整性(锡须生长、可焊性、耐焊接性); 失效机制:材料或工艺的缺陷; 试验通过判断依据:>95% lead coverage ; 实验室能力范围:能满足芯片的LF验证需求;...
标准号:AEC - Q100-005 - REV-D1 -2012 检测标准/方法:非易失性存储器程序/擦除持久性,数据保留,和操作寿命测试 AEC - Q100-005 - REV-D1 -2012 检测对象:电子元器件 检测项目/参数:擦写耐久性和数据保持试验 相关标准 《GB/T 31838.2-2019》固体绝缘材料 介电和电阻特性 第2部分:电阻特性(DC方法) ...