a-SiH_TFT的能带和工作内部结构
最早都是使用CdSe作为 TFT的有源层，1980年前后开始研究使用非晶硅材料做有源层的TFT特性。相比纯非晶硅，氢化非晶硅（a-Si：H）能通过施主和受主掺杂来分别形成N型和P型半导体材料，氢能钝化在非晶硅散乱网格中的由位于禁带中的大量悬挂键引起的缺陷态，钝化过程使得非晶硅具有类似晶体硅的特性。尽管CdSe比a-Si：...
a-Si:HTFT阈值电压 •a-si:HTFT的电流-电压及电容-电压特性依赖于带尾的局域态和带隙的缺陷局域态。•定义a-Si:HTFT的阈值电压为TFT开启时的栅极电压，即半导体导带的起始受激电压，用Vth表示。它包括存在功函数差和各种类型电荷屏蔽的栅压Vto，和局域态屏蔽的那部分栅压。提取Vto、η、µ0、θ •阂...
1.a-Si:HTFT的工作原理 有源层是a-Si:H，属弱n型非晶半导体材料。当栅极加正电压，表面形成电子的累积，源漏加电压后，形成导电沟道。类似于MOS的电容。金属绝缘层半导体欧姆接触 MIS结构 简化的底栅型a-SiTFT的结构 3 a-Si:HTFT的能带图 1.a-Si:HTFT的工作原理 随栅极电压VGS而变化，基本上可分...
a-Si:H TFT柔性显示采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si:H TFT阵列(20×20).用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si:H薄膜的结构,用二探针法和四探针法分别表征了a-Si:H薄膜和n+a-Si:H薄膜的电导率.a-Si:H薄膜中的H(原子数分数)约为15.6%,H主要以SiH和Si...
2)驱动TFT的栅源电压要受到OLED性质的影响,可能会随着制造工艺中OLED器件的不同而变化,也可能随着OLED工作时间而变化。 a.Si:H TFT是n沟道的薄膜晶体管,不能制作出p沟道的TFT,要驱动OLED有一定的困难。而LPTS TFT可以制作成p沟道或者n沟道TFT,驱动OLED比较容易。底发射型OLED是传统的结构,对OLED制备工艺的难度要...
第六章a-Si:HTFT绝缘薄膜的沉积 YUEKUO Inst.OfOpto-electronics 一、绝缘层材料和沉积方法的选取二、PECVDSiNx绝缘层Ⅰ.PECVDSiNx沉积工艺Ⅱ.SiNx栅绝缘层Ⅲ.界面效应Ⅳ.底栅绝缘层和顶栅绝缘层Ⅴ.双层栅绝缘层Ⅵ.背沟钝化绝缘层三、与绝缘层有关的产效问题四、总结 Inst.OfOpto-electronics •a-Si:HTFT...
第三讲-a-SiH-TFT-的结构与工作原理.ppt,液晶显示器件阵列工艺 王丽娟 液晶显示器件阵列工艺 王丽娟 王丽娟 2006年8月29日 a-Si:H TFT的工作原理 随栅极电压VGS而变化,基本上可分为积累、耗尽、反型三种情况 理想的MOS器件的C-V特性曲线 a-Si:H TFT 的C-V特性曲线 a-Si TFT
H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响.根据非晶硅中亚稳态 产生的特点,并针对驱动OLED的两管a—si:H—TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号 时序的重新设计来补偿周值电压漂移的方法,即在数据信号间加插一个与数据信号极性相 反的补偿信号.通过这种正负交替的信号,使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移...
塑料基底a—Si：HTFT制备技术