Si 的带隙形成机理如图 2-12(a)所示,Si 能级的 CBM 和 VBM 分别由sp3杂化轨道的反键(sp3σ*)态和成键(sp3σ)态组成。σ*–σ级的能量差就是 Si 能带的带隙。a-Si 电子结构缺陷如图 2-12(b)所示,如果出现一个 Si 空位,则在靠近带隙中间就会形成一个悬挂键和一个不成对电子,悬挂键会被一个电子占...
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随着半导体材料性能与器件工艺水平的提高,a-Si TFT和IGZO TFT基本采用工艺更简单、结构更紧凑的背沟道刻蚀型(Back Channel Etch,BCE)结构。BCE结构的IGZO TFT在刻蚀源漏极时,要避免因刻蚀液体或刻蚀气体影响半导体背沟道,而导致的沟道特性恶化。 LTPS TFT采用顶栅结构,一方面,可以在玻璃上直接生成a-Si薄膜,有利于...
一方面,介质层的存在可以提高a-Si TFT的稳定性,但同时也会影响其工作性能。另一方面,无介质层的a-Si TFT可以提高其工作性能,但也会降低其稳定性。 因此,在设计a-Si TFT时,需要根据具体的应用场景和需求来综合考虑介质层的存在与否。同时,还需要...
a-Si TFT 是TFT-LCD使用最广泛的技术，具有成膜工艺多样、性能稳定和均一性好的特点。a-Si TFT的基本特性是载流子传输特性，其半导体特性决定了这一特性。a-Si半导体的基本特性在于载流子传输路径和能带结构。a-Si:H的能带结构包含导带和价带，中间存在迁移率隙。导带和价带的带尾延伸到迁移率隙，形成...
非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT) 薄膜晶体管(TFT)是平板显示器制造行业的核心技术,其价值相当于硅芯片对计算机行业的影响。 在20世纪60年代发明液晶显示技术的初期,使用简单的X-Y电极寻址方式对液晶显示器像素进行寻址,显示图像存在大量的串扰,即一个像素会被邻近像素的变化所干扰;后来提出了在每一个X-Y电极的交叉...
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TFT 技术最初是在20世纪80年代开发的,早期的 TFT 技术使用的是非晶硅(Amorphous Silicon,a-Si)作为半导体材料,但它具有反应速度慢、颜色渲染不佳等缺陷,因此被逐渐淘汰。 后来,TFT 技术逐渐演变为使用多晶硅(Polysilicon,p-Si)作为半导体材料,它具有更快的反应速度和更好的颜色渲染效果。多晶硅薄膜晶体管技术(...
经过干法刻蚀机台刻蚀以后,a-Si剩余量在玻璃的不同位置存在差异性,因而会造成TFT特性不同位置存在差异,为了消除此影响,表征TFT特性的数值均采用均值。 测试环境:常温黑暗环境;测试条件:源极和漏极电压Vds=15 V,栅极电压Vg=-30~30 V之间,Vg以最小值0.2 V递增变化 ...
a-Si:HTFT阈值电压 •a-si:HTFT的电流-电压及电容-电压特性依赖于带尾的局域态和带隙的缺陷局域态。•定义a-Si:HTFT的阈值电压为TFT开启时的栅极电压，即半导体导带的起始受激电压，用Vth表示。它包括存在功函数差和各种类型电荷屏蔽的栅压Vto，和局域态屏蔽的那部分栅压。提取Vto、η、µ0、θ •阂...