Si 空位的存在会导致 N 型 TFT 和 P 型 TFT 的特性恶化。因此,需要对 a-Si 的悬挂键进行氢化处理,对悬挂键起「饱和」作用以减少缺陷态数目。a-Si:H 电子结构如图 2-11(c)所示。这种含有大量硅氢键 Si:H 的非晶态固体叫作氢化非晶硅(a-Si:H)。a-Si:H 中的 H 能够补偿 a-Si 中大量存在的悬挂键...
aSi厚度对TFT开关特性影响.doc,aSi厚度对TFT开关特性影响 摘要:通过在线电学测试设备,研究了不同a-Si厚度对TFT开关电学特性的影响。本试验通过调整刻蚀时间改变沟道内a-Si的剩余厚度,在此基础上找出电学特性比较稳定的区域和电学特性变差的临界点。试验结果表明,在其它
–TFT-LCD阵列工艺流程–TFT-LCD成盒工艺流程–TFT-LCD模块工艺流程 TFT-LCD的基本构成 1.LCD屏2.驱动及控制电路3.背光源及组件 2 3 TFT-LCD屏构成 1、上偏振片2、阵列基板 TFT开关器件3、彩膜基板 R,G,BBMOC4、液晶5、取向膜6、CF-ITO7、下偏振片8、隔垫物9、边框胶、转印电极 TFT-LCD阵列基板 TFT...
基于柔性衬底非晶硅(aSi)薄膜晶体管(TFT)制备技术研究
TFT-LCD目前行业有 A-SI 非晶硅，LTPS 为低温多晶硅，还有夏普的IGZO , LTPS 同样的尺寸，分辨率可以做得更大
甚至设备都用来一样？因为oled是电流驱动，需要相对较大电流。aSi的电子迁移率低，电流低，所以需要ltps...
ASI+TFT+LCD(176240)驱动芯片设计.pdf 摘要 在论文中,详细地阐述了一个176t240(QcIF+)点阵的全彩非定型硅薄膜晶体管液 晶显示器驱动芯片的设计。 它可以显示26万色,内部包含760320位用于祯同步sRAM,sRAM采用了6一T存 储单元,有效地减小了整个芯片的面积。该驱动芯片整合了驱动液晶面板所需的GATE 驱动电路和...
•背沟道阻挡型的半导层a-Si层的厚度是300~500A;刻蚀n+aSi层时SiN也被刻蚀,由于刻蚀选择比大a-Si层可以做得薄, 工艺简单;a-Si层薄P-CVD的生产性好。 •正栅型(顶栅型):通过改进光刻有大幅度改善的可能性, 即可能降低成本 彩晶的10.4寸和16.1寸采用的是背沟道阻挡 型结构;6.5采用的是背沟道刻蚀型...
TFT及其应用 TFT薄膜晶体管材料本文就薄膜晶体管(TFT:Thin-Film Transistor)及其应用,特别是以非晶硅(aSi)为主的半导体材料,物理性质,器件结构,制造工艺,工作原理,特性和 TFT 液晶显示器件(LCD)等方面及其技术动向进行介绍.松村正清陈树民光电子技术
套件同时提供了《asiTFT Design Rule》、《asiTFT PDK reference manual》、《Custom IC Design Reference Flow OA asiTFT》和《asiTFT Demo Introduction》等技术文档,用于帮助设计者进行电路系统设计、仿真以及验证。A-Si TFT工艺PDK套件与主流EDA软件具有...