瑞奇戈德一非晶硅薄膜晶体管（a-Si：H TFT）——之一 薄膜晶体管（TFT）是平板显示器制造行业的核心技术，其价值相当于硅芯片对计算机行业的影响。在20世纪60年代发明液晶显示技术的初期，使用简单的X-Y电极寻址方式对液晶显示器像素进行寻址，显示图像存在大量的串扰，即一个像素会被邻近像素的变化所干扰；后来提出...
a.Si:H TFT是n沟道的薄膜晶体管,不能制作出p沟道的TFT,要驱动OLED有一定的困难。而LPTS TFT可以制作成p沟道或者n沟道TFT,驱动OLED比较容易。底发射型OLED是传统的结构,对OLED制备工艺的难度要求较低,OLED的性能好。反馈 收藏
塑料基底a.Si:HTFT￥1]备技术研究1姚建可,许宁生,邓少芝‘,陈军,佘峻聪,王彬光电材料与技术国家重点实验室,广东省显示材料与技术重点实验室,中山大学,广州,510275摘要:用300"CPECVDI艺,在50um厚的KaptonE高分子塑料片上制备了20×20的底栅结构a—Si:H1rI丌阵列。用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si:H薄膜的...
5 p. 渐变组分a—Si:H/a—SiC:H膜内部电场的研究 5 p. a—Ge:H和a—Ge:H/a—Si:H超晶格的研究.pdf 6 p. a—Si:H/a—C:H超晶格的界面研究 4 p. a—si:H /a—SiNx:H超晶格材料拉曼散射 4 p. a—Si:H/a—SiNx:H超晶格材料拉曼散射 发表...
吉林北方彩晶数码电子有限公司,吉林长春130033) 摘要:分析了a—si:H—TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiN: H栅绝缘层和a—si:H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响.根据非晶硅中亚稳态 产生的特点,并针对驱动OLED的两管a—si:H—TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号 时序的重新...
塑料基底a—Si：HTFT制备技术
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根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a—Si:H—TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿周值电压漂移的方法,即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号.通过这种正负交替的信号,使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程,来实现驱动OLED...
3) A-Si TFT 非晶硅薄膜晶体管 1. New Type a-Si TFT Used as Room Temperature Infrared Detector; 用于室温红外探测的新型非晶硅薄膜晶体管 更多例句>> 4) amorphous silicon thin-film transistor (a-Si:H TFT) 非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)...
a-Si:H TFT-Silicon Hybrid Low-Energy X-Ray Detector 来自 IEEEXplore 喜欢 0 阅读量: 25 作者:KW Shin,KS Karim 摘要: Direct conversion crystalline silicon X-ray imagers are used for low-energy X-ray photon (4-20 keV) detection in scientific research applications such as protein ...