封装 DFN5*6 批号 21+ 数量 68000 资质 代理 货源 原厂 优势 价格优势 库存 现货 售货 售后无忧 品质 原装正品 发票 专票 订货 支持订货 发货 现货直发 技术支持 支持 渠道 一手渠道 经验 行业资深 响应速度 及时 诚信 绝对诚信 宗旨 只做正品 可售卖地 全国 型号 NCEP40T15GU 深圳市...
PD快充上碳化硅MOSFET(DFN5x6/DFN8x8)应用方案优势更高散热能力和更低开关损耗。 碳化硅MOS 碳化硅MOS芯片单管+模块+应用三位一体模式2 人赞同了该文章 在功率器件上,比起第一代半导体而言,第三代半导体的性能优越性显而易见,与现在USB PD 快充产品上已非常火热的GaN方案相比,SiC有什么特殊的优势呢? ASR320N...
冠华伟业为广大客户提供优质DFN5x6-8封装MOSFET选型、DFN5x6-8场效应管采购、DFN5x6-8 MOS管批发、DFN5x6-8 MOS管定制等,产品丰富,封装多样,库存充足,选型方便.
免费查询更多mos管 dfn5x6-8l详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息等,您还可以发布询价信息。
C5X6贴片卡支持2G/3G/4G/5G及NB-IOT等多种通信制式,同时增加空中写卡功能,成本低,适用多种应用场景。C5X6贴片卡具有高可靠性、不易拆除、稳定性好等特点,适用消费级和工业级等多种工作环境,5X6贴片卡可以直接集成在模组/终端设备中,广泛用于金融POS、车联网、能源表计、共享新零售等行业。 图1 产品优势 ●...
封装 DFN5X6-8 批号 2023+ 数量 95625047 FET类型 单P沟道 漏源电压(Vdss) -60 漏极电流(Id) -90 漏源导通电阻(RDS On) 10.5 栅源电压(Vgs) -1 栅极电荷(Qg) 121 反向恢复时间 2.5 最大耗散功率 2 配置类型 耗尽型 工作温度范围 -55℃-175℃ 安装类型 贴片 应用领域 家用电器...
低压选型 DFN5*..优势现货30V低压DFN5*6-8L封装供应型号如下:NCEB301G DFN5X6-8L 30V 20A 20W 20V 6.9mΩ 10.8mΩ NCEB301G DFN5X6-8L 30V 35A
- 封装类型:DFN8(5X6) 应用简介: MDU1517RH-VB是一款N沟道功率MOSFET,适用于多种领域模块,具有以下应用潜力: 1. 电源管理模块:这个器件的高电流承受能力和低导通电阻使其非常适合电源开关、电源调节和稳压模块,提供高效的电源管理。 2. 电机控制:在电机驱动和控制应用中,MDU1517RH-VB可用作电流控制开关,有助于...
封装 DFN5X6-8 批号 2020+ 数量 22566122 FET类型 双N沟道 漏源电压(Vdss) 40V 漏极电流(Id) 220A 漏源导通电阻(RDS On) 10.8mΩ 栅源电压(Vgs) ±20 栅极电荷(Qg) ee33 反向恢复时间 32 最大耗散功率 333 配置类型 增强型 工作温度范围 -50°~150° 安装类型 贴片 应用领域...
封装:DFN8(5X6) 应用简介: MDU1514URH-VB是一款N-Channel沟道MOSFET,适用于高功率、高电流的电路和模块设计,特别是在需要小型尺寸、高性能N-Channel MOSFET的应用中。 领域模块应用: 1. **电源模块:** 适用于高功率开关电源、电源逆变器等模块设计,能够提供高效的电能转换和稳定的电源输出。