封装 DFN5X6-8L 批号 20+ 数量 20000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -50C 最大工作温度 100C 最小电源电压 3V 最大电源电压 8V 长度 8.3mm 宽度 6.2mm 高度 2.5mm 可售卖地 全国 型号 NCEP045N10G PDF资料 集成电路(IC)-其他IC-NCEP045N10G-NCE/新洁能-DFN5X6-...
封装 PDFN5*6-8L 数量 10000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -40 最大工作温度 120 可售卖地 全国 品牌 Natlinear/南麟 型号 NP6666D6 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用...
这些技术特性使得矽源特ChipSourceTek-CST30P06F在各种应用中都能表现出色,尤其是在需要高精度控制和低功耗的领域。 矽源特ChipSourceTek-CST30P06F是PDFN5*6-8L封装,60V,30A的P-Mosfet。矽源特ChipSourceTek-CST30P06F是BVDSS=-60V,RDSON=24mΩ,ID=-30A的P沟道快速切换Mosfet。提供PDFN5060-8L封装。 二、应用...
优势现货30V低压DFN5*6-8L封装供应型号如下:NCEB301G DFN5X6-8L 30V 20A 20W 20V 6.9mΩ 10.8mΩ NCEB301G DFN5X6-8L 30V 35A 40W 20V 6.9mΩ 10.8mΩ NCE3065G DFN5X6-8L 30V 65A 65W 20V 5.7mΩ 7.7mΩ NCE30H11BG DFN5X6-8L 30V 110A 68W 20V 2.3mΩ 3.3mΩ NCE3095G DF...
DFN5×6-8L 封装 封装品种 DFN5×6-8L详细介绍
型号 DFN5*6-8L-1.27翻盖老化座(060-5060-080N) 封装/规格 插件 类型 DIP 间距 1.27 总针脚数 8+1 圆孔/方孔 圆孔 触头镀层 金 工作温度范围 -45~155℃ 包装 盒装 认证机构 CE 最小包装量 1 数量 1 封装 QFN 批号 以出货为准 品牌 HMILU A、型号:适配IC封装:QFN/WSON/DFN尺寸:...
询价产品: NP4826D6-N-G PDFN5*6-8L-B 60V 双N沟道增强型场效应管MOS管原装 *联系信息: 产品信息 联系方式 品牌 南麟 型号 NP4826D6-N-G 货号 NP4826D6-N-G 材质 / 适用范围 消费品 耗散功率 31 漏源电压 10 连续漏极电流 0.5 栅源电压 ±5 工作温度 -55℃~+150℃ 栅极电荷 1nC...
封装 PDFN5*6-8L 批号 最新批次 数量 50000 可售卖地 全国 类型 N沟道 型号 NP130S03D6 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上...
矽源特ChipSourceTek-CST20P70F是一款高效且功能强大的P沟道快速切换MOSFET,具有PDFN5*6-8L封装,以及出色的电气特性和先进的技术特点,使其在电子应用中具有广泛的应用前景。本文将详细介绍矽源特ChipSourceTek-CST20P70F的主要特点、性能参数、应用领域及封装信息,帮助读者更好地理解和应用这款MOSFET。
矽源特ChipSourceTek-CST25P04F是一款采用PDFN5*6-8L封装的P沟道MOSFET,具有40V的耐压(BVDSS)和25A的连续漏极电流(ID)。该产品的RDSON(导通电阻)仅为14mΩ,保证了在低电压下的高效率工作。此外,矽源特ChipSourceTek-CST25P04F采用了先进的高单元密度沟槽技术,使其在同步降压转换器应用中提供了出色的性能。