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深圳昱灿电子有限公司 电话:0755-27933516 联系人:石先生/谭小姐/李先生 地址:深圳市宝安区79区宝民二路好运来商务大厦B座 E-mail:sz.shi@163.com 网址:www.szyucan.com 您现在的位置:首页»产品中心»MOS系列产品»单Nmos»单Nmos(DFN5x6-8) ...
DFN5x6-8 单N MOS (DFN5x6-8 Single N MOSFET) 型号Vdss(V)Ids(A)Vgs(V)Rds(mΩ)maxVht门极阈值(V)Ciss(pF)Qg(nC)PD(W)ESD (KV)PDF 25℃Vgs=10VVgs=4.5VVgs=2.5VVgs=1.8VMinMax25℃ TM345830V60A20V5.5mΩ8.7mΩ1.4V2.5V7805.82.5WPDF...
DFN5X6-8L_FDMC86160 下载积分: 100 内容提示: MOSFET technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Features Low RDS(on) & FOM Extremely low ...
封装 PDFN5X6-8L 电压VDS +20V(N-CH)、-20V(P-CH) RDS(ON) 10mΩ(N-CH)、20mΩ(P-CH) VGS ±20V 工作结温 TJ -55~150℃ 数量 278000 批号 新年份 可售卖地 全国 类型 N+P沟道MOS管 型号 25G02 低压MOS25G02的引脚图: 低压MOS 25G02的应用领域: 无线充电无数马达 低压MOS 25...
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矽源特ChipSourceTek-AKT30P55G的关键性能参数包括最大漏极电压（VDS）为-30V、最大导通电阻（RDSON）为4.6mΩ、最大漏极电流（ID）为-55A。该器件采用PDFN5X6-8L封装，具有先进的沟槽技术、卓越的开关性能和低导通电阻等优点，适用于电池保护、负载开关、功率管理等应用领域。Advanced Trench Technology Excellen...
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