PD快充上碳化硅MOSFET(DFN5x6/DFN8x8)应用方案优势更高散热能力和更低开关损耗。 碳化硅MOS 碳化硅MOS芯片单管+模块+应用三位一体模式2 人赞同了该文章 在功率器件上,比起第一代半导体而言,第三代半导体的性能优越性显而易见,与现在USB PD 快充产品上已非常火热的GaN方案相比,SiC有什么特殊的优势呢? ASR320N...
DFN8-1.27-5x6芯片老化座open-top结构耐175℃高温兼容LFPAK封装 DFN8-1.27-5x6下压老化座 500 ANDK QFN 以出货为准 ￥88.0000元1~-- 个 深圳市鸿怡电子有限公司 2年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 STL8DN6LF3 场效应管 STM 封装DFN5X6 批次18+ ...
C5X6贴片卡是物联网行业广泛使用的一款SIM,采用DFN-8封装方式封装,尺寸5mmX6mmX0.75mm,完全兼容传统SIM卡的全部功能,该尺寸产品在物联网行业市场占有率极高。C5X6贴片卡支持2G/3G/4G/5G及NB-IOT等多种通信制式,同时增加空中写卡功能,成本低,适用多种应用场景。C5X6贴片卡具有高可靠性、不易拆除、稳定性好等...
AON6788-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用DFN8(5X6)封装,设计用于要求高效能和高电流承载能力的功率开关和电源管理应用。该器件具有低导通电阻、优异的热特性和稳定的电性能,适合于需要高性能和可靠性的电路设计。 ### 二、AON6788-VB 详细参数说明 - **封装形式**: DFN8(5X6) - **配置**: 单N沟道 -...
- 封装类型:DFN8(5X6) 应用简介: MDU1517RH-VB是一款N沟道功率MOSFET,适用于多种领域模块,具有以下应用潜力: 1. 电源管理模块:这个器件的高电流承受能力和低导通电阻使其非常适合电源开关、电源调节和稳压模块,提供高效的电源管理。 2. 电机控制:在电机驱动和控制应用中,MDU1517RH-VB可用作电流控制开关,有助于...
封装/规格 DFN8(5X6) 包装 编带 最小包装量 2500 产品特性 大功率 封装 DFN8(5X6) 包装方式 编带 数量 99999 芯片 台积电 工艺 长电封测代工 安装方式 表面贴片 产品保证 原装 批号 24+ FET类型 增强型 产地 中国 可售卖地 全国 品牌 VBsemi/微碧半导体 PDF资料 AON6786-VB.pdf 下载...
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WDFN8QFN-8(5x6)QFN8_3X3MM_EPSC-59SC-70-3SC-70-6SC-95-6SC59SC59-3SC65SC75-6SC75ASC89SC89-6SDFN2020_EPSMD8SMT3SO-8SO-8_4.9X3.9MMSO8SO8_150MILSOD323SOIC-8SOIC8L_150MILSOIC8N_150MILSOIC8_150MILSOIC8_150MIL_EPSOIC8_5X4MMSON8_3.3X3.3MM_EPSOP-8SOP-8_4.9X3.9MMSOP8 ...
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封装:DFN8(5X6) 应用简介: MDU1514URH-VB是一款N-Channel沟道MOSFET,适用于高功率、高电流的电路和模块设计,特别是在需要小型尺寸、高性能N-Channel MOSFET的应用中。 领域模块应用: 1. **电源模块:** 适用于高功率开关电源、电源逆变器等模块设计,能够提供高效的电能转换和稳定的电源输出。