天科合达从 2020 年开始开展 8 英寸导电型SiC单晶衬底的开发工作,经过 2 年多艰苦卓绝的技术攻关,突破了 8 英寸晶体扩径生长和晶片加工等关键技术难题,成功制备出高品质 8 英寸导电型SiC单晶衬底,并计划在 2023 年实现小规模量产。 1实验 1.1 晶体生长和衬底制备 本实验通过以自主研发的由 c 轴偏向<112-0>...
李辉表示,生长n型的4H碳化硅单晶(新能源汽车等),无法生长p型4H-SiC单晶和3C-SiC单晶。而p型4H-SiC单晶未来将是制备IGBT材料基础,将应用于高阻断电压、大电流的IGBT,比如轨道交通和智能电网等一些应用场景。而3C-SiC将解决4H-SiC及MOSFET器件的技术瓶颈。 她也介绍,“从成本、耗能等综合角度,高温液相法的成本会...
晶体经过滚圆、磨平面整形后，获得标准直径的 8 英寸导电型 4H-SiC 晶锭，如图 2（a）所示。经过切割、研磨、抛光后，加工获得520μm 厚度的 8 英寸导电型 4H-SiC 衬底，如图 2（b）所示。从图 2（b）中可以看出，8 英寸 4H-SiC 衬底呈均一的棕黄色，结合拉曼测试，表明衬底中无 6H 和15R-SiC 等多型...
【#中科院李辉:液相法是制备P型4H-SiC单晶和3C-SiC单晶重要方法#】 中科院超话 半导体超话 在2024世界传感器大会——车规级半导体产业发展大会上,中国科学院物理所副研究员李辉以“液相法生长碳化硅单晶”为主题,分享了液相法生长不同晶型SiC单晶,尤其是3C-SiC和p型4H-SiC单晶的解决方案以及技术应用前景。O网页链接...
报告指出,当前8英寸4H-SiC晶体制备难点主要涉及高质量8英寸4H-SiC籽晶制备;大尺寸温度场不均匀和成核过程控制;大尺寸晶体生长体系下气相物质组分输运效率和演变规律;大尺寸热应力增大导致的晶体开裂和缺陷增殖。 在8英寸籽晶制备方面,为兼顾晶体质量及扩径尺寸,研究设计了合适的温场、流场及扩径装配;以6英寸的碳化硅...
摘要 采用物理气相传输法（PVT），成功制备直径达209 mm的4H-SiC单晶，并通过一系列加工工艺，制成标准8英寸SiC衬底。通过拉曼光谱仪、高分辨X-射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、位错检测仪等设备，对8英寸衬底的晶型、结晶质量、微管、电阻率、应力、面型、位错等特性进行详尽...
碳化硅(SiC)已成为量子传感和计量领域最具吸引力的材料之一。SiC中的硅空位(VSi)缺陷已被证明可以作为固体量子位,可用于量子计算和传感。飞秒激光写入作为一种新的可控色心制备方法,已逐渐应用于SiC中VSi的制备。
一种透明4HSiC纳米孔阵列的制备方法,其包括以下具体步骤:(1)SiC单晶片依次在丙酮,酒精,去离子水清洗,然后在HF:C2H5OH=1:1的溶液中浸泡,除去表面氧化物;(2)按HF:C2H5OH:H2O2的比例为3:6:1配制电解液;(3)设置脉冲电压各项参数;(4)将4HSiC单晶片作为阳极,石墨片作为阴极,平行放置;(5)开启电源,在室温常压...
物理气相传输(PVT)法制备4H-SiC单晶热应力及位错滑移建模 卢圣瓯1, 韩学峰1 1浙江大学杭州国际科创中心 发布日期2024 采用有限元方法建立了4H-SiC单晶生长过程热弹性应力和位错滑移的数值模型,考虑了晶体直径、生长温度和离轴生长的影响。利用COMSOL Multiphysics软件的固体传热和热辐射物理场,计算了晶体生长炉内二...