导电型SiC衬底经过同质外延生长、器件制造可制成SiC二极管、MOSFET等功率器件,应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域;半绝缘型SiC衬底经过氮化镓外延、器件制造可制成HEMT等微波射频器件,主要应用于 5G通讯、卫星、雷达等领域。在半导体产业链中,晶圆制造的基础在衬底,衬底是所有半导体芯片的底层...
然而，由于SiC在材料物理化学性质上与Si有很大差异，很难直接将Si基标准化工艺体系应用于SiC[12]。全SiC基或体SiC基传感器的研究多集中在压力传感器上[13]-[15]，这些SiC基压力传感器的制备工艺已较为完善，并获得了大量的器件性能测试数据。然而，全SiC或体SiC在加速度计中的应用并不像压力传感器领域那么广泛，这...
在本研究中,仇旻课题组设计并制备了一种同质的 4H-SiC 超透镜,实现了对标商用物镜的光学性能,同时成功减轻了高功率激光辐照下的热漂移效应(如图1所示)。选用的 4H-SiC 材料具有高折射率、可见光至近红外光谱范围内低损耗、优异的机...
李辉介绍,碳化硅制备的功率器件具有更大的优势,“它的阻断电压更高,器件的厚度大概是硅的1/10,而且正向导通电阻更低。因此, 在300V-4.5kV,SiC器件有望取代Si基器件,4.5 kV以上,SiC基器件具有绝对的优势。”她指出,新能源汽车是碳化硅重要的应用场景,也是碳化硅最主要的拉动力,推动了从半导体外延到器件全产业链的...
结论：由徐现刚教授领衔的 山东大学晶体材料所和南砂晶圆团队使用 PVT 生长方法制备了 8 英寸导电型 4H-SiC 单晶，并加工成了厚度520μm 的 8 英寸 4H-SiC 衬底。衬底微管密度小于 0.3/cm2，4H-SiC 晶型比例100%，电阻率平均值 22mΩ·cm，不均匀性小于 4%，衬底(004) 面高分辨 XRD 5点摇摆曲线半峰...
【#中科院李辉:液相法是制备P型4H-SiC单晶和3C-SiC单晶重要方法#】 中科院超话 半导体超话 在2024世界传感器大会——车规级半导体产业发展大会上,中国科学院物理所副研究员李辉以“液相法生长碳化硅单晶”为主题,分享了液相法生长不同晶型SiC单晶,尤其是3C-SiC和p型4H-SiC单晶的解决方案以及技术应用前景。O网页链接...
在不使用外延层在同轴的半绝缘SIC衬底上制作4H-SIC横向双重注入金属氧化物半导体场效应晶体管。LDIMOSFET使用离子注入工艺从而形成电流通路层。共面波导作为栅极和漏极之间的漂移区。通过使用同轴半绝缘衬底和最优化的共面波导参数,1093伏特下的击穿电压和89.8兆欧姆·厘米2的特定导通电阻从20微米长的共面波导器件中被获得...
制备方法 4H SiC单晶的制备主要通过物质转移法和易溶法两种方法。物质转移法是最常用的方法之一,它通过在高温下将硅和碳源放置在反应炉中,通过反应生成4H SiC单晶。易溶法则是将硅和碳源溶解在溶剂中,然后通过降温结晶得到单晶。这些方法都需要严格的温度控制和反应条件,以获得高质量的4H SiC单晶。 应用领域 由于其优...
在8英寸籽晶制备方面,为兼顾晶体质量及扩径尺寸,研究设计了合适的温场、流场及扩径装配;以6英寸的碳化硅籽晶为起点,进行籽晶迭代,逐步扩大SiC晶体尺寸直到达8英寸;通过多次晶体生长和加工,逐步优化晶体扩径区域的结晶质量,提升8英寸籽晶的品质。 在8英寸导电型晶体和衬底制备方面,研究优化大尺寸晶体生长的温场和流场...