SiC 晶体有着多种具有代表性的多型体,像 3C 型、4H 型以及 6H 型等等。这里面的数字代表的是沿着堆积方向一周期内的碳硅双原子层数,而字母 C 表示立方晶系(cubic),H 则代表六方晶系(hexagonal)。在 SiC 晶体的制造过程中,温度等条件的不同会决定最终所形成的多型体种类。例如,上图展示了 4H 型 SiC 的...
本文利用X射线光电子能谱法(XPS)研究了 ε-Ga2O3/4H-SiC异质结的能带排列(band alignment).实验所用的样品均采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)制得.通过紫外-可见吸收光谱测量,得到SiC和Ga2O3的光学带隙分别为3.29?eV与4.80?eV.Ga2O3/SiC界面的价带偏移量与导带偏移量分别为0.61?eV和0.9?eV.Ga2O3/Si...