1.1构建模型 虽然SiC 四面体键很强，但是层错形成的能量却很低，这决定了其多型体系现象，其中4H-SiC 是纤锌矿结构，六角晶系，4H 表示由4层Si-C 为一周期排列的六角结构。有闪锌矿结构的晶体，其晶体结构如图1所示．这里只考虑两种类型的基面位错，基面螺旋位错和60°基面位错，其Burgers 矢量都为1/3112軈軈...
1.一种4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型,所述模型为4H-SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为:<Image>α=90°,β=90°,γ=120°,所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成,碳硅键长为<Image>其特征在于,所述模型上表面沿(0001)面向<Image>偏4°。 2.一种权利要求1所述的4H-SiC材料4°偏角三维原子结构...
SIC晶体是由硅原子和碳原子构成的复合晶体,硅原子和碳原子以不同的方式排列形成不同的结构类型,其中4H相是硅原子和碳原子交替排列形成六方晶格的一种结构。 在LAMMPS中构建SIC晶体结构的步骤如下: 1.定义晶体结构:首先需要定义晶格参数和晶体的结构类型,对于4H相的SIC晶体,可以定义其晶格参数和原子的排列方式。 2...
[0010] (1)建立4H-SiC晶胞的三维原子结构模型;[0011] ⑵以步骤⑴所述模型为基准,建立4H-SiC的超晶胞模型;[0012] (3)以硅面为上表面,沿(0001)面向<| 1 2 0>偏8°做虚拟平面,平面落在从上表 面开始的第一层和第二层碳-碳原子层间的部分向第一层碳原子层做垂直投影,投影部分 的原子层构成第一层...
本发明提供一种4H-SiC材料8°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用。所述模型为4H-SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为:偏8°;所述模型以计算机辅助构建而成,方法步骤简单易行,其制作完全按照实际生产过程中对碳化硅表面的处理方法;本发明的4H-SiC材料8°偏角三维原子结构模型可应用于碳化硅氧化原理、碳化硅...
4H-SiC SJ结构反向击穿电压的解析模型
双沟4H—SiCMESFET优化结构的解析模型及性能
传统的4H-SiC MESFET器件虽然在理论上具有很好的直流和射频特性,但在实际中,由于击穿电压和漏电流的提高,在一定程度上为相互制约的关系,导致功率密度达不到更高的要求。目前科学界通过改变4H-SiC MESFET结构的尺寸、形状等手段来提高4H-SiC MESFET器件的性能。而双凹栅结构4H-SiC MESFET和阶梯栅结构MESFET的提出,对...
摘要: 本文运用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,根据原子尺度上的缺陷特性研究了4H—SiC的位错结构模型,并对4H—SiC基面位错的结构进行分析.建立了一种模型.文章简要介绍了4H-SiC材料中结构缺陷的分子动力学模拟方法,势能模型及主要技术...
击穿电压sicsj模型解析reakdow结构 第27卷第2期2007年5月固体电子学研究与进展RESEARCH&PROGRESSOFSSEVol.27,No.2May,2007Ξ4H-SiCSJ结构反向击穿电压的解析模型张金平张波李肇基周春华罗小蓉(电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054)2005206223收稿,2005210213收改稿摘要:提出了4H2SiC超级结结构反向击穿电压的二维...