表1显示,实验上获得的本征4H-SiC的晶格常数与计算得到的4H-SiC结构优化后的参数较接近,说明本研究所选择的模型和计算结果可靠。 表1 掺杂前后4H-SiC超晶胞参数 Table1 Structural parameters of 4H-SiC before and after doping System a/nm c/nm Lattice volume/nm3 Experimental result[15] 1.2324 1.0084 - ...
1.一种4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型,所述模型为4H-SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为:<Image>α=90°,β=90°,γ=120°,所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成,碳硅键长为<Image>其特征在于,所述模型上表面沿(0001)面向<Image>偏4°。 2.一种权利要求1所述的4H-SiC材料4°偏角三维原子结构...
[0007] -种4H_SiC材料8°偏角三维原子结构模型,所述模型为4H_SiC六方晶胞的周 期性重复结构,晶胞参数为:a=3.08 A±0,5%,b=3.08 ,4±0.:5%, c=l(U_)6 A±0.5%, α = 90°,β =90°,γ =120°,所述晶胞由中心为娃原子的四面体构成,碳娃键长为1.89 A, 所述模型上表面沿(0001)面向<Π 2 ...
所述模型为4H‑SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为α=90°,β=90°,γ=120°,所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成,碳硅键长为所述模型上表面沿(0001)面向偏4°;所述模型以计算机辅助构建而成,方法步骤简单易行,其制作完全按照实际生产过程中对碳化硅表面的处理方法;本发明的4H‑SiC材料4°偏角...
(a) Intrinsic SiC; (b) Si0.96875Al0.03125C; (c) Si0.9375Al0.0625C; (d) Si0.875Al0.125C.由前面讨论可知, 4H-SiC禁带宽度随Al掺杂浓度的增大而减小, 因此可以从电子态密度分布来分析不同浓度Al掺杂4H-SiC后, 禁带宽度随Al掺杂浓度变化规律的内部机理. 图5所示为Si0.96875Al0.03125C的超晶胞在一个Al...
4H-SiC能带结构碳空位 系统标签: sic第一性缺陷晶胞能级载流子 第2卷第1期微电子期刊Vol.2No.12012年3月ScientificJournalofMicroelectronics(SJM)Mar.2012.jmicroPP.8-12©2011AmericanV-KingScientificPublishing,LTD4H-SiC中VC程萍缺陷的第一性原理研究1,张玉明2,张义门2,李永平1.宁波大红鹰学院信息工程学院浙江...
结果表明:N—A1共掺杂导致4H—SiC晶格膨胀,4H—SiC的禁带宽度减小,同时在4H—SiC禁带中引入了杂质能级;N、A1的单掺杂增加了4H—SiC对红外波段和可见光波段的响应,N—Al共掺杂不存在该现象;N—A1共掺杂4H—SiC较本征4H—SiC在紫外波段出现一个更大的透射窗口,吸收系数略小于本征4H—SiC的。关键词:第一性原理;...
所述模型为4H‑SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为: 法律状态 法律状态公告日 法律状态信息 法律状态 2016-01-20 公开 公开 2016-01-20 公开 公开 2016-09-28 实质审查的生效 实质审查的生效 2016-09-28 实质审查的生效 实质审查的生效 2019-07-19 授权 授权 权利要求说明书 一种4H-SiC材料4°偏角...
一种4H-SiC材料8°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用专利信息由爱企查专利频道提供,一种4H-SiC材料8°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用说明:本发明提供一种4H‑SiC材料8°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用。所述模型为4H‑Si...专利查询请上爱