SiC属于第三代半导体基础材料,禁带宽度大于2eV。其中4H-SiC禁带宽可以达到3.26eV,迁移率高:900cm2/V.s。 联系我们附件下载售后支持立即购买 技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情 产品名称 4H-SiC晶体基片 技术参数 晶体结构: 六方晶系 晶格常数: ...
此外,4H-SiC芯片还具有高热导率、高击穿电场、高热膨胀系数等优点,这使得它在电力电子器件领域具有广泛的应用前景。 4H-SiC芯片在制造过程中需要经过多步复杂的工艺流程,包括晶体制备、外延生长、芯片制作等。在这些工艺流程中,需要精确控制温度、气氛、掺杂浓度等参数,以保证最终产品的性能和可靠性。同时,也需要对...
从下表参数看，4H SiC本征载流子浓度和电子迁移率都比6H SiC高很多。更高的电子迁移率un，可以得到更...
技术参数: 4H-SiC薄膜晶向:<0001> 4H-SiC薄膜厚度(film target thickness):4.3um ±10% 4H-SiC薄膜厚度(film target doping layer) :1.4E17/cc +0% /- 30% 载流子浓度:(3~ 10)E16 /cc 导电类型:P型 抛光情况:双面抛光 4H-SiC基片晶向:<0001>miscut 8.0 +/- 0.5 degree,parallel(10-10);OF lengt...
4H-SiC概述(生长、特性、应用)、Bulk及外延层缺陷、光致发光/拉曼光谱法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光学显微镜,TEM,SEM/散射光等表征方法。 报告详细内容 ■ 介绍 • 一些器件正在突破Si的界限,SiC和GaN提供了改进的希望。 ■ 介绍 • 生长方法: PVT - 块体(厚、高掺杂) ...
4H-SiC超透镜和物镜分别在相同的光路中进行了测试,保持一致的设置和参数。在整个实验过程中,z轴阶段被调节以定位焦平面,并使用CCD相机记录图像。样品的温度通过红外热像仪(InfiRay T3S)进行测量,发射率设置为0.95(4H-SiC)和0.996(物镜)。4H-SiC材料和物镜的发射率测试和校准详细信息见补充信息(详见“热辐射测量的...
摘要:高温压力传感器研制的主要目的是解决高温恶劣环境下的压力测量问题,SiC是制造高温压力传感器的理想材料,结合薄膜技术与陶瓷厚膜技术,提出了一种新型的4H-SiC无线无源电容式高温压力传感器设计方案。应用Ansys有限元分析软件进行仿真, 600 ℃时灵敏度为2.65 MHz/bar,说明传感器在高温下具有较高的灵敏度,对制备过程中...
GaAs-SiC，InP-Diamond， LN-SiC，Si-Si，GaN-Dlamond,Sl-Diamond,蓝宝石-蓝宝石，金刚石-sic, sic-inp,sic-LN, ic-ga2o3,glass--glass，Si-SiC，Si-GaAs、GaAs- SiC、Si–SiC、SiC–SiC、Ge–Ge 、Al 2 O 3 -Al 2 O 3 ，GaP-InP， GaN-Si、LiNbO 3 -Al 2 O 3 、LiTaO 3 -Si and ...
碳化硅衬底规格1.1 6英寸导电N型4H-SiC衬底规格 1.2 6英寸高纯半绝缘4H-SiC衬底规格 2. 碳化硅半导体材料特性碳化硅晶片具有优异的热力学和电化学性能,具体参数如下表: 3. 碳化硅衬底片的用途导电N型碳化硅衬底主要用于碳化硅外延,制成碳化硅二极管、MOSFET等功率器件,应用在高温高压环境中,应用于新能源汽车、归到交通...