在SiC晶型中，3C-SiC以其较低的空穴有效质量（1m0）表现出良好的空穴迁移性。4H-SiC在六方结构基面上的空穴有效质量为75m0，而垂直于基面时则为65m0，这反映了其电学性质在不同方向上的差异。6H-SiC的空穴有效质量与4H-SiC相近，但整体略低，这对其载流子迁移率产生一定影响。同时，电子有效质量在25-7m0的范围...
我们计算了能带、带隙、n—型载流子的有效质量以及临界点转变能量.计算出的电子性质与实验结果很好地吻合。对3C—SiC的初始总能量计算,找到了一个平衡晶格常数a=4.348Å。计算出的电荷转移性质表明,在4H-SiC和3C—SiC中,每一个硅原子失去约1。4个电子,被一个碳原子获得. 1引言 由于其优越的电子、机械和化学...
3C 和 4H-SiC 中的电子结构和电荷转移 摘要: 我们使用一个局部密度泛函势、 原子轨道线性组合(LCAO) 法以及BZW 程序, 研究了3C-SiC 和4H-SiC 的电子结构。 我们计算了能带、 带隙、 n-型载流子的有效质量以及临界点转变能量。 计算出的电子性质与实验结果很好地吻合。 对3C-SiC 的初始总能量计算, 找到了...
例如，17 表明，通过改进薄膜生长方法，实现更少的堆垛层错和位错，4H-SiC 悬臂梁的 Q 因子比 3C-SiC 悬臂梁高 10 倍。在这项工作中，我们使用绝缘体上 SiC (SiCOI) 工艺，以类似于传统绝缘体上硅 (SOI) MEMS 器件的方式制造厚单晶 4H-SiC 器件。与薄膜器件相比，厚 4H-SiC 层可实现更大的质量和更高...
光生载流子效应是指当入射激光光子能量大于被测样品的禁带宽度时,会在被测样品内激发出自由移动的电子空穴对。将光生载流子效应与拉曼光谱测试有机结合起来,可以对较低载流子浓度的4h-sic的进行有效测量,并最终计算出其载流子浓度的大小。 技术实现要素: 本发明的目的是提出了基于光生载流子效应的拉曼光谱表征4h-sic...
大幅度增加。掺杂 4HSiC 的载流子迁移率主要由中性杂质对电子的散射决定,较本征态的大幅度降低。通过计 算4种体系的电导率可知,P替位Si原子掺杂4HSiC的电导率最大,导电性最好。 关键词:4HSiC;P掺杂;第一性原理;电导率 中图分类号:O64 文献标志码:A ...
SiC作为新一代微电子器件和集成电路的半导 体材料具有良好的特性,例如,禁带宽度大,击穿场 强高,热导率大,饱和漂移速度高等优点,使其在高 温,高频,大功率等领域有着广泛的应用前景.随着 SiCMOSFET制备工艺的发展,有关SiCMOSFET电 特性的建模和模拟研究也取得一定的进展.例如, ...
4H sic 晶格常数 晶格参数为0.3081 1.0093 3C和4H-SiC中的电子结构和电荷转移 摘要:我们使用一个局部密度泛函势、原子轨道线性组合(LCAO)法以及BZW程序,研究了3C-SiC和4H-SiC的电子结构。我们计算了能带、带隙、n-型载流子的有效质量以及临界点转变能量。计算出的电子性
第三代宽带隙半导体SiC材料由于具有宽带 隙、高临界电场、高电导率、高载流子饱和漂移速度、耐腐蚀性强等特点,在高温、高频、大功率、光电子及 抗辐射等领域比传统的Si材料具有极大的应用潜 力[1,2].但由于SiC单晶和外延材料制备上的困难,对SiC器件的研究一直未能深入开展.直到20世纪 90年代6H2SiC和4H2SiC单晶...
谐振陀螺仪的结构和并联电容间隙由晶圆级 SiC 深反应离子蚀刻 (DRIE) 定义。图 3a 显示了作者手持经过处理的 4 英寸 SiCOI 晶圆的照片,上面有各种谐振器设计。图 3b 显示了SiCOI 晶片上的 BAW 盘式陀螺仪的鸟瞰扫描电子显微镜 (SEM)。图 3c、d 中的去耦网络和外围电容电极的放大 SEM 显示了原始蚀刻轮廓,其...