通过比较不同厚度生长的4H-SiC外延层在相同激发条件下获得的光致发光和光电导衰减测量的时间常数,有助于更好地理解这个问题。 实验条件和设备: 12 ~ 62 µm的4H-SiC外延层通过化学气相沉积在350 µm厚的4H-SiC n+型衬底上(电阻率约为0.05 Ω∙cm)。所有外延层为n型掺杂,载流子浓度为1014 ~ 1015 cm-...
随着4H–SiC功率器件的商业化进程加速，其应用领域日益广泛，包括光伏系统、工业电源、电动汽车充电器和逆变器等。然而，为了进一步拓展其应用范围，提高SiC晶圆的供应量、材料质量和降低生产成本显得尤为重要。本文旨在探讨高温气源法在4H–SiC晶体生长中的应用，以实现快速生长和缺陷减少的目标。研究思路 高温气源法，也...
介绍了总剂量效应对4H-SiC功率器件的影响以及对应的加固方案。首先介绍了4H-SiC功率器件的电气特性以及工作时面临的辐照环境。接着根据辐射对器件特性的影响,识别辐射缺陷,并建立了退化机制。然后,分析了单极性器件和双极性器件的辐照的特性。最后,针对器件在辐照环境中
SiC是具有宽带隙、高击穿场强、高热导率和高电子饱和速度及良好机械性能的材料,它的化学稳定性和抗辐射能力等这些特性使SiC在制造高温恶劣环境下的压力传感器中具有明显的优势[1]。本文选择SiC材料制备敏感结构,同时采用无线无源探测技术[2],从而实现高温压力测量。SiC是有许多同素异构类型的化合物半导体,此处选择4H-...
1.一种4H-SiC在制备高压压砧中的应用。 2.根据权利要求1所述的应用,其特征在于,高压压砧用于高压下红外吸收光 谱分析、高压下紫外-可见吸收光谱分析和高压下拉曼光谱分析。 3.根据权利要求2所述的应用,其特征在于,所述高压是在百万大气压以上。 4.根据权利要求1所述的应用,其特征在于,高压压砧采用钻石圆切割...
4H-SiC是性能优异的宽禁带半导体材料之一,其在高温,高频,高功率和抗辐射器件等方面具有巨大的应用潜力.但是在器件制备过程中,仍存在若干工艺难点,其中关键工艺技术之一是获得良好的欧姆接触.本文针对4H-SiC欧姆接触工艺以及相关器件制备做了如下工作:基于国内外SiC欧姆接触的调研,研究了p型和n型欧姆接触的常用金属体系和...
针对现有技术的不足,本发明的目的是提供一种4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型及其构建方法和在碳化硅氧化原理、碳化硅欧姆接触、碳化硅外延等碳化硅材料与其他材料界面研究中的应用,该模型更接近于实际应用,且建模方法简单,易于应用。 为实现上述目的,本发明采用以下技术方案: 一种4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型,...
其中,Id是4H-SiC MESFE器件的饱和漏电流,VB是击穿电压,Vknee是膝点电压。 从式(3)可以看出,由于阶梯栅MESFET的击穿电压和饱和漏极电流均大于双凹栅MESFET,因此其最大输出功率密度也大于双凹栅MESFET,可见阶梯栅MESFET比双凹栅MESFET具有更加优秀的击穿特性和功率特性。
总之,一个600伏,高电流(10A)4H-SIC横向场效应晶体管被制造在6英寸晶圆上。尽管使用了简单的工艺流程来实现与双RESURF和/或多区漂移设计相反的单个RESURF结构漂移设计,但却实现了非常高的击穿电压,显示出理想(模拟)击穿电压的94%。更好的降低了采用了一种新氧化物工艺带来的特定导通电阻,实现更高沟道迁移率和低电...