各向异性迁移率对制造的单mesa终端4H-SiC PIN二极管,采用数值仿真和测试结果比对的方法,分析了各向异性迁移率效应对4H-SiC PIN二极管正向直流特性的影响.详细阐述了器件的正向直流仿真物理模型和参数选取,其中,迁移率的各向异性关系是在各向同性迁移率模型的基础上引入的,载流子寿命采用空间赋值的方法代入模型进行计算....
基于文献报道的4H-SiC材料的各向异性物理特性,首次提出4H-SiC基超结器件的各向异性物理模型,并对不同晶向的碰撞电离分别进行考虑.基于该模型,我们对(0001)和(1120)两种晶向晶圆的4H-SiC超结器件的电学特性进行了研究.与(1120)晶圆相比,(0001)晶圆的碰撞电离系数较小,可以实现更高的击穿电压VB.由于碰撞电离各向异性...
4H-SiC基超结器件各向异性的TCAD建模分析
摘要 研究了晶圆各向异性对4H-SiC基垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)单粒子效应的影响。建立了器件二维仿真结构,选取合适的仿真模型并对参数进行了修正。仿真结果表明,基于(0001)和(11 2-0)晶圆器件的单粒子...展开更多 The effect of wafer anisotropy on the single event effect (SEE) in 4H-SiC power vertical ...
通过分析拉曼光谱,可以获得SiC材料的内部晶体质量、载流子浓度、内部应力应变分布等特性。在常规拉曼散射测试系统中增设偏振装置,通过偏振方向的控制和选择研究不同偏振状态下的拉曼散射性质,可深入分析晶体结构和各向异性特征。T.Sander等人采用偏振拉曼散射光谱研究了AlN、ZnO和GaN材料的拉曼张量元和各向异性性质[8-11],...
基于文献报道的4H-SiC材料的各向异性物理特性,首次提出4H-SiC基超结器件的各向异性物理模型,并对不同晶向的碰撞电离分别进行考虑。基于该模型,我们对(0001)和(112ˉ0)两种晶向晶圆的4H-SiC超结器件的电学特性进行了研究。与(112ˉ0)晶圆相比,(0001)晶圆的碰撞电离系数较小,可以实现更高的击穿电... 查看全部>>...
4H-SiC PIN二极管的各向异性迁移率效应.pdf,第 6卷 第 2期 现代应用物理 Vo1.6,NO.2 2015年 6月 M 0DERN APPLIED PHYSICS Jun.2015 4H—SiCPIN二极管的各 向异性迁移率效应 韩超 ,张玉 明 ,宋庆文 ,张义 门 ,汤晓燕 (1.西安电子科技大学 宽禁带半导体材料与
摘要: 研究了晶圆各向异性对4H-SiC基垂直双扩散MOSFET (VDMOSFET)单粒子效应的影响.建立了器件二维仿真结构,选取合适的仿真模型并对参数进行了修正.仿真结果表明,基于(0001)和(11 20)晶圆器件的单粒子烧毁(SEB)阈值电压(VSEB)分别为350 V和255 V,SEB发生时的临界击穿电场强度分别为... 查看全部>> ...
而且4H VDMOS的开关速度比6H SiC电压上升时间更短，因此开关速度更快，更适合做为功率半导体的材料使用...
SiC 4H的热导率根据其晶体结构而异。单晶材料具有高度有序的原子排列,而多晶材料由许多小晶粒组成,具有不同的取向。单晶SiC 4H的热导率通常比多晶材料高。 晶向依赖性 SiC 4H的热导率还与晶向有关。在c轴方向(垂直于晶体平面),热导率通常高于在a轴或b轴方向(平行于晶体平面)。 温度依赖性 SiC 4H的热导...