本文以4H-SiC为研究对象,探讨了其缺陷演化机制以及异质结对其性能的影响。 1. 引言 4H-SiC具有较高的电子迁移率、热传导性能和化学稳定性,是一种理想的半导体材料。然而,由于其杂质和缺陷的存在,对其性能有着重要的影响。因此,研究4H-SiC的缺陷演化机制和异质结的性质对其在电子器件领域的应用具有重要意义。 2. ...